[發明專利]高升壓比變換器、太陽能逆變器與太陽能電池系統無效
| 申請號: | 201210003963.8 | 申請日: | 2012-01-06 |
| 公開(公告)號: | CN102447396A | 公開(公告)日: | 2012-05-09 |
| 發明(設計)人: | 梁志剛;鄭崇峰 | 申請(專利權)人: | 無錫聯動太陽能科技有限公司 |
| 主分類號: | H02M3/335 | 分類號: | H02M3/335;H02J3/38;H02M7/5387;H02J7/00 |
| 代理公司: | 北京中恒高博知識產權代理有限公司 11249 | 代理人: | 姜萬林 |
| 地址: | 214135 江蘇省無錫市*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 升壓 變換器 太陽能 逆變器 太陽能電池 系統 | ||
1.一種高升壓比變換器,其特征在于,包括直流輸入電源,半波整流電容???????????????????????????????????????????????,箝位電容,變壓器,變壓器原邊勵磁電感,諧振電感,功率半導體開關與,與的體二極管或額外的并聯二極管與,輸出電阻,以及變壓器副邊整流二極管;其中:
所述直流輸入電源的正極,與變壓器原邊線圈的始端連接;經箝位電容后,與變壓器副邊線圈的始端、變壓器副邊整流二極管的陰極、功率半導體開關的漏極、的體二極管或額外的并聯二極管的陰極、以及輸出電阻的第一連接端連接;依次經變壓器原邊勵磁電感與諧振電感后,與功率半導體開關的源極、的體二極管或額外的并聯二極管的陽極、功率半導體開關的漏極、以及的體二極管或額外的并聯二極管的陰極連接;并經半波整流電容后,與直流輸入電源的負極、功率半導體開關的源極、的體二極管或額外的并聯二極管的陽極、以及輸出電阻的第二連接端連接;
所述變壓器原邊線圈的末端,與變壓器原邊勵磁電感及諧振電感的公共端連接;變壓器副邊線圈的末端,與變壓器副邊整流二極管的陽極連接;功率半導體開關的柵極,用于輸入占空比為的脈沖信號;功率半導體開關的柵極,用于輸入占空比為的脈沖信號。
2.根據權利要求1所述的高升壓比變換器,其特征在于,還包括變壓器副邊濾波電容;所述變壓器副邊濾波電容,連接在變壓器副邊線圈的始端與變壓器副邊整流二極管的陰極之間。
3.根據權利要求1或2所述的高升壓比變換器,其特征在于,還包括旁路電容與;所述旁路電容,并接在的體二極管或額外的并聯二極管的陽極與陰極之間;所述旁路電容,并接在的體二極管或額外的并聯二極管的陽極與陰極之間。
4.根據權利要求1或2所述的高升壓比變換器,其特征在于,所述直流輸入電源,為至少包括太陽能電池板PV或蓄電池的儲能設備或風能發電設備或光熱發電裝置;
所述功率半導體開關與,至少包括金屬氧化物場效應晶體管MOSFET、絕緣柵極雙極型晶體管IGBT與二極管中的至少一種。
5.一種高升壓比變換器,其特征在于,包括直流輸入電源,全波整流電容,箝位電容,變壓器,變壓器原邊勵磁電感,諧振電感,功率半導體開關與,和的體二極管或額外的并聯二極管與,輸出電阻,以及變壓器副邊整流二極管與;其中:
所述直流輸入電源的正極,與變壓器原邊線圈的始端連接;經箝位電容后,與變壓器副邊整流二極管的陽極、變壓器副邊線圈的始端、變壓器副邊整流二極管的陰極、功率半導體開關的漏極、的體二極管或額外的并聯二極管的陰極、以及輸出電阻的第一連接端連接;依次經變壓器原邊勵磁電感與諧振電感后,與功率半導體開關的源極、的體二極管或額外的并聯二極管的陽極、功率半導體開關的漏極、以及的體二極管或額外的并聯二極管的陰極連接;并經全波整流電容后,與直流輸入電源的負極、功率半導體開關的源極、的體二極管或額外的并聯二極管的陽極、以及輸出電阻的第二連接端連接;
所述變壓器原邊線圈的末端,與變壓器原邊勵磁電感及諧振電感的公共端連接;變壓器副邊線圈的末端,與變壓器副邊整流二極管的陰極及變壓器副邊整流二極管的陽極連接;功率半導體開關的柵極,用于輸入占空比為的脈沖信號;功率半導體開關的柵極,用于輸入占空比為的脈沖信號。
6.根據權利要求5所述的高升壓比變換器,其特征在于,還包括變壓器副邊濾波電容與;所述變壓器副邊濾波電容,連接在變壓器副邊線圈的始端與變壓器副邊整流二極管的陽極之間;所述變壓器副邊濾波電容,連接在變壓器副邊線圈的始端與變壓器副邊整流二極管的陰極之間。
7.根據權利要求5或6所述的高升壓比變換器,其特征在于,還包括旁路電容與;所述旁路電容,并接在的體二極管或額外的并聯二極管的陽極與陰極之間;所述旁路電容,并接在的體二極管或額外的并聯二極管的陽極與陰極之間。
8.根據權利要求5或6所述的高升壓比變換器,其特征在于,所述直流輸入電源,為至少包括太陽能電池板PV或蓄電池的儲能設備或風能發電設備或光熱發電裝置;
所述功率半導體開關與,至少包括金屬氧化物場效應晶體管MOSFET、絕緣柵極雙極型晶體管IGBT與二極管中的至少一種。
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