[發明專利]一種高溫高壓晶體生長設備

無效

• 申請號: 201210003909.3
• 申請日: 2012-01-06
• 公開（公告）號: CN102534798A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: 李振榮;周明斌;范世驥;徐卓
• 申請（專利權）人: 西安交通大學
• 主分類號: C30B29/40
• 分類號: C30B29/40;C30B11/00;C30B9/00
• 代理公司: 西安通大專利代理有限責任公司 61200
• 代理人: 徐文權

1.一種高溫高壓晶體生長設備，包括吊裝裝置、底座(6)、壓力罐(1)、加熱爐(18)、下降裝置(5)；其特征在于：吊裝裝置安裝在壓力罐(1)外殼的頂部；底座(6)用于支撐壓力罐(1)；壓力罐(1)內放置加熱爐(18)和下降裝置(5)，加熱爐(18)下爐口與壓力罐(1)內的爐腔相通；下降裝置(5)安裝在加熱爐(18)下方，其上放置被加熱爐(18)加熱的坩堝，坩堝中放置用于生成高溫高壓晶體的物料。

2.如權利要求1所述的一種高溫高壓晶體生長設備，其特征在于：所述的壓力罐(1)包括不銹鋼殼體、安裝在殼體外部的冷卻盤管(4)、供應加熱爐功率的接線端子(16)；所述加熱爐(18)包括內部的發熱元件(3)、外部的保溫材料(2)、爐腔和爐口處的隔熱密封塞(15)；所述下降裝置(5)包括放置坩堝的載物平臺、蝸輪蝸桿、調速齒輪組、慢速電機、指針及刻度尺；下降裝置(5)放置于一個壓力罐內部的與壓力罐固定相連的支撐平臺(7)之上。

3.如權利要求2所述的一種高溫高壓晶體生長設備，其特征在于：壓力罐不銹鋼殼體分為上、下兩個部分，通過法蘭盤螺栓緊固密封或快開式自緊固密封。

4.如權利要求1或2所述的一種高溫高壓晶體生長設備，其特征在于：壓力罐通過與之連接的真空設備(22)保證壓力罐內氣體的純凈或保持真空。

5.如權利要求2所述的一種高溫高壓晶體生長設備，其特征在于：加熱爐發熱元件(3)由石墨、Fe/Cr/Al合金、Ni/Cr合金、鈮、鈦、鉭、鉬、鎢、錸、鉑、碳化硅、硅化鉬中的一個或多個構成。

6.如權利要求1，2，3，5任一項所述的一種高溫高壓晶體生長設備，其特征在于：加熱爐(18)可將所述爐腔加熱至～2000℃。

7.如權利要求1，2，3，5任一項所述的一種高溫高壓晶體生長設備，其特征在于：加熱爐(18)包括至少兩個溫度傳感器(10，11)，用于測量所述爐腔的至少兩個位置的溫度；所述溫度傳感器為選自熱電偶、熱敏電阻其任何組合中的兩個或多個；其中一個用于控制爐腔溫度，其他用于指示爐腔不同位置溫度。

8.如權利要求2所述的一種高溫高壓晶體生長設備，其特征在于：保溫材料(2)為硅酸鋁耐火棉、氧化鋁多晶纖維、石墨、普通碳氈、碳沉積氈的一種或多種。

9.如權利要求2所述的一種高溫高壓晶體生長設備，其特征在于：冷卻盤管(4)纏繞在壓力罐外部；冷卻盤管(4)外接帶水泵的冷卻水箱。

10.如權利要求7所述的一種高溫高壓晶體生長設備，其特征在于：所述傳感器的輸出由壓力罐上的接線端子(16)引入，并在10MPa氣壓下安全輸出；加熱爐的功率由壓力罐上的功率亦由接線端子(16)引入，并在10MPa氣壓下安全輸電。