[發明專利]一種硅光電池有效
| 申請號： | 201210003894.0 | 申請日： | 2012-01-09 |
| 公開（公告）號： | CN102569472A | 公開（公告）日： | 2012-07-11 |
| 發明（設計）人： | 張有潤;吳浩然;張波 | 申請（專利權）人： | 電子科技大學 |
| 主分類號： | H01L31/052 | 分類號： | H01L31/052;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 電子科技大學專利中心 51203 | 代理人： | 周永宏 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 光電池 | ||
【權利要求書】：
1.一種硅光電池，包括：背面P+歐姆接觸區、P-基區和N+發射區，所述背面P+歐姆接觸區、P-基區和N+發射區組成pin結構，其特征在于，還包括介質埋層，所述介質埋層位于P-基區內部，耗盡區外部，并且介質埋層不隔斷P-基區。
2.根據權利要求1所述的硅光電池，其特征在于，所述的硅光電池還包括位于硅光電池頂部的減反射層，所述減反射層覆蓋于N+發射區之上。
3.根據權利要求1或2所述的硅光電池，其特征在于，所述介質埋層具體為二氧化硅。
4.根據權利要求1或2所述的硅光電池，其特征在于，所述介質埋層的厚度為其中，λ為入射光波長，n為介質埋層折射率，β為光進入介質埋層的入射角。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
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