[發(fā)明專利]具有高導(dǎo)通n型歐姆接觸的發(fā)光二極管及制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210003578.3
• 申請(qǐng)日: 2012-01-09
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102569556A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-07-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 葉孟欣;吳志強(qiáng);黃少華;周啟倫
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廈門(mén)市三安光電科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/00
• 分類號(hào): H01L33/00;H01L33/12;H01L33/32
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.具有高導(dǎo)通n型歐姆接觸的發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)的制造方法，包括以下步驟：

提供一生長(zhǎng)襯底；

在生長(zhǎng)襯底上形成一高摻雜n型歐姆接觸緩沖層，其電子濃度大于或等于1×10²⁰cm^-3；

在n型歐姆接觸緩沖層上外延生長(zhǎng)發(fā)光外延層，其至下而上至少包括：n型半導(dǎo)體層?、活性層、p型半導(dǎo)體層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于：所述n型歐姆接觸緩沖層通過(guò)外延生長(zhǎng)形成，其材料為Al_cIn_dGa_1-c-dN，其中0≦c<1，0≦d<1，c+d<1。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于：所述n型歐姆接觸緩沖層通過(guò)離子注入法注入離子形成高摻雜，其摻雜濃度大于或等于1×10²⁰cm^-3。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述的發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于：所述n型歐姆接觸緩沖層的能隙小于或等于3.4eV。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3或4所述的發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于：所述n型歐姆接觸緩沖層的厚度為10埃～5000埃。

6.具有高導(dǎo)通n型歐姆接觸的發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)，包括：

一生長(zhǎng)襯底；

一摻雜n型歐姆接觸緩沖層，位于該生長(zhǎng)襯底之上，其電子濃度大于或等于1×10²⁰cm^-3；

一發(fā)光外延層，形成于n型歐姆接觸緩沖層之上，其自下而上包含n型半導(dǎo)體層、活性層、P型半導(dǎo)體層。

7.?根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述n型歐姆接觸緩沖層由Al_cIn_dGa_1-c-dN構(gòu)成，其中0≦c<1，0≦d<1，c+d<1。

8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述n型歐姆接觸緩沖層的能隙小于或等于3.4eV。

9.根據(jù)權(quán)利要求6或7或8所述的發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述n型歐姆接觸緩沖層的厚度為10埃～5000埃。

10.根據(jù)權(quán)利要求6或7或8或9所述的發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)，其特征在于：n型歐姆接觸緩沖層為硅摻雜氮化物，其摻雜濃度大于或等于1×10²⁰cm^-3。

11.根據(jù)權(quán)利要求6或7或8或9或10所述的發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)，其特征在于：還包括漸變式硅摻雜n型氮化物半導(dǎo)體層，其位于n型歐姆接觸緩沖層與發(fā)光外延層之間。

12.具有高導(dǎo)通n型歐姆接觸的發(fā)光二極管芯片的制作方法，包括以下步驟：

提供一生長(zhǎng)襯底；

在生長(zhǎng)襯底上形成一摻雜n型歐姆接觸緩沖層，其電子濃度大于或等于1×10²⁰cm^-3；

在n型歐姆接觸緩沖層上外延生長(zhǎng)發(fā)光外延層，其至下而上至少包括：n型半導(dǎo)體層?、活性層、p型半導(dǎo)體層；

提供一散熱基板，將發(fā)光外延層與導(dǎo)電基板連結(jié)；

剝離生長(zhǎng)襯底，露出n型歐姆接觸緩沖層表面；

在導(dǎo)電基板上形成第一電極，在n型歐姆接觸緩沖層表面之上形成第二電極。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光二極管芯片的制作方法，其特征在于：所述所述n型歐姆接觸緩沖層通過(guò)低溫外延生長(zhǎng)形成，其材料為Al_cIn_dGa_1-c-dN，其中0≦c<1，0≦d<1，c+d<1。

14.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的發(fā)光二極管芯片的制造方法，其特征在于：所述n型歐姆接觸緩沖層的能隙小于或等于3.4eV。

15.根據(jù)權(quán)利要求11或12或13所述的發(fā)光二極管芯片的制造方法，其特征在于：所述n型歐姆接觸緩沖層通過(guò)離子注入法注入離子形成高摻雜，其摻雜濃度大于或等于1×10²⁰cm^-3。