[發(fā)明專利]管內(nèi)鍍膜設(shè)備及鍍膜技術(shù)

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210003526.6
• 申請日: 2012-01-06
• 公開（公告）號: CN102517555A
• 公開（公告）日: 2012-06-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李德杰
• 申請（專利權(quán)）人: 李德杰
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.管內(nèi)鍍膜設(shè)備及鍍膜技術(shù)，其特征在于：采用磁控濺射鍍膜技術(shù)，以被鍍管的管壁為真空腔的側(cè)壁，兩端進(jìn)行真空密封，并設(shè)置排氣口和充氣管道；放電陰極為圓柱狀，與被鍍管同軸設(shè)置，其內(nèi)部水冷，但不在其中設(shè)置磁體，陰極外表面設(shè)置圓柱靶材，與陰極緊配合，或者陰極外表面直接作為靶材；磁體設(shè)置在被鍍管的外部，即處于大氣中。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的管內(nèi)鍍膜設(shè)備及鍍膜技術(shù)，其特征在于：所述的磁體為空心圓柱結(jié)構(gòu)，與被鍍管同軸設(shè)置，產(chǎn)生軸向磁場，鍍膜過程中磁體沿軸向移動。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的管內(nèi)鍍膜設(shè)備及鍍膜技術(shù)，其特征在于：所述的磁體為長跑道形結(jié)構(gòu)，磁體長度與被鍍管長度相當(dāng)，除兩端外，產(chǎn)生基本與軸向垂直的磁場，鍍膜過程中，磁體整體繞被鍍管旋轉(zhuǎn)，旋轉(zhuǎn)軸與被鍍管中心軸線相同。

4.根據(jù)權(quán)利要求1、2和3所述的管內(nèi)鍍膜設(shè)備及鍍膜技術(shù)，其特征在于：如果被鍍管為沒有磁性的金屬管，則被鍍管為陽極。

5.如果被鍍管為絕緣管，則被鍍管內(nèi)與軸向平行設(shè)置細(xì)桿狀或細(xì)管狀金屬陽極1根或多根。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的管內(nèi)鍍膜設(shè)備及鍍膜技術(shù)，其特征在于：所述的細(xì)管狀金屬陽極可同時作為充氣管道，不再另外設(shè)置充氣管道；在細(xì)管狀陽極側(cè)壁上開進(jìn)氣孔。

7.根據(jù)權(quán)利要求1、2所述的管內(nèi)鍍膜設(shè)備及鍍膜技術(shù)，其特征在于：采用直流磁控濺射、射頻磁控濺射或脈沖磁控濺射在被鍍管內(nèi)壁上沉積薄膜，改變空心圓柱形磁體的半徑，調(diào)整陰極表面附近磁場強度；沉積過程中，磁體沿軸線移動，放電區(qū)域也跟著移動，薄膜被均勻鍍制在被鍍管的內(nèi)表面上。

8.根據(jù)權(quán)利要求1、3所述的管內(nèi)鍍膜設(shè)備及鍍膜技術(shù)，其特征在于：采用直流磁控濺射、射頻磁控濺射或脈沖磁控濺射在被鍍管內(nèi)壁上沉積薄膜，調(diào)整磁體與被鍍管外表面的間距，使得橫向磁場最強處位于陰極表面附近；沉積過程中，磁體繞被鍍管勻速旋轉(zhuǎn)，放電區(qū)域也跟著旋轉(zhuǎn)，薄膜被均勻鍍制在被鍍管的內(nèi)表面上。