[發明專利]釔摻雜鋯鈰酸鋇/無機鹽復相結構質子導體材料及其制備方法無效
| 申請號: | 201210003413.6 | 申請日: | 2012-01-06 |
| 公開(公告)號: | CN102531587A | 公開(公告)日: | 2012-07-04 |
| 發明(設計)人: | 郭瑞松;吳立軍;高沿英;鄧雅平 | 申請(專利權)人: | 天津大學 |
| 主分類號: | C04B35/48 | 分類號: | C04B35/48;C04B35/622;H01B1/06 |
| 代理公司: | 天津市北洋有限責任專利代理事務所 12201 | 代理人: | 曹玉平 |
| 地址: | 300072*** | 國省代碼: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 摻雜 鋯鈰酸鋇 無機鹽 結構 質子 導體 材料 及其 制備 方法 | ||
技術領域
本發明是屬于以成分為特征的陶瓷組合物的,特別涉及一種Y摻雜鋯鈰酸鋇/無機鹽復相結構質子導體材料及其制備方法。
背景技術
鈣鈦礦結構材料作為新型質子導體材料,除了可廣泛應用于質子陶瓷燃料電池(PCFC)的電解質材料外,還是質子器件的重要組成部分,主要應用包括氫氣分離、氫氣制備、氫氣傳感器、氫濃差電池以及有機物加氫脫氫反應等[Iwahara?H,et?al.Solid?State?Ionics,2004,168(3-4):299~310;Yamazaki?Y,et?al.Chemistry?of?Materials,2009,21(13):2755~2762;StuartP?A,et?al.Journal?of?the?European?Ceramic?Society,2009,29(4),697~702]。日本學者Iwahara等人于1981年報道了摻雜鈣鈦礦型鈰酸鹽和鋯酸鹽質子導電性以及機理研究[Iwahara?H,etal.Solid?State?Ionics,1981,3-4:359~363],目前鈣鈦礦結構質子導體材料的研究主要集中在鋯酸鋇和鈰酸鋇。鋯酸鋇具有較高的化學穩定性與晶粒電導率,但是其難以燒結性和較低的晶界電導率成為應用于SOFC以及其它元器件的主要障礙,文獻報道鋯酸鋇材料總電導率一般在10-5~10-3西門子/厘米的范圍。鈰酸鋇具有較高的電導率和較好的燒結性,但是化學穩定性差,易在CO2和H2S分解(Katahira?K,Kohchi?Y,Shimura?T,Iwahara?H.Solid?State?Ionics,2000,138:91-98)。Ryu(Ryu?KH,Haile?SM.Solid?State?Ionics,1999,125:355-367)報道在比較寬的Ce/Zr比例范圍內,可以實現鋯酸鋇和鈰酸鋇二者的均相復合,這個均相復合材料稱為鋯鈰酸鋇。通過均相復合,可以改善鋯酸鋇原有的燒結性并提高其電導率。郭瑞松等人(Guo?RS,Deng?YP,Gao?YY,Zhang?LX.J.Alloys?Compd.,2011,509:8894-8900)研究了不同含量的Ce改性Ba(Zr0.9-xCex)0.9Y0.1O2.95材料的電導率和化學穩定性,并總結出BaZr0.63Ce0.27Y0.1O2.95在保持較高的化學穩定的同時提高了晶界電導率。但是,這種方法改善程度并非十分令人滿意,如何繼續改善晶界電導繼而提高材料的總電導率成為問題的關鍵,對此常采用異相復合的途徑加以解決[Peng?ZZ,et?al.Journal?of?the?American?Ceramic?Society,2008,91(5):1534-1538]。中國發明專利[專利號:200710057254.7]報道了采用復相結構設計,獲得高導電性鋯酸鋇質子導體材料,其中的異相復合物質為氫氧化物或者硫酸鹽(如NaOH或K2SO4或Na2SO4或Li2SO4)。
Zhu等人(Zhu?B,Mellander?B-E.Solid?State?Ionics,1995,97:244-249)研究Al2O3-Li2SO4質子導體材料,并報道在577℃時出現β→α相變,在600℃時電導率達到1西門子/厘米,具有較高的質子電導率。Lunden(Lundén?A,Mellander?B-E,Zhu?B.Acta?Chem.Scand.,1991,45:981-982)經過研究認為,在Li2SO4的立方相結構中,四面體的SO42-產生了異常快速的旋轉運動,促進了陽離子以及質子的運動。Schober等(Electrochem.Solid-State?Letters,2005,8(4):A199-255)在Y摻雜飾酸鋇的異相摻雜方面進行了一些研究工作,也取得了一定的成效,由于界面超離子相轉變,造成ln(σT)-1/T曲線出現跳躍,他們的研究結果很好地印證解釋了Zhu的中溫區高電導率以及高電流密度實驗結果。
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