[發明專利]介電薄膜形成用組合物、介電薄膜的形成方法及介電薄膜

有效

• 申請號: 201210003035.1
• 申請日: 2012-01-06
• 公開（公告）號: CN103193477A
• 公開（公告）日: 2013-07-10
• 發明（設計）人: 藤井順;櫻井英章;曽山信幸
• 申請（專利權）人: 三菱綜合材料株式會社
• 主分類號: C04B35/462
• 分類號: C04B35/462;C04B35/465;C04B35/622;H01G4/14
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 康泉;王珍仙

1.一種介電薄膜形成用組合物，其特征在于，為用于形成呈通式：Ca_(4-3x)Cu_3xTi₄O₁₂所示的復合金屬氧化物形態的薄膜的液狀介電薄膜形成用組合物，式中，0.5≤x≤1.1，

由用于構成所述復合金屬氧化物的原料以提供上述通式所示的金屬原子比的比例溶解于有機溶劑中的有機金屬化合物溶液構成，所述有機溶劑以具有通式：C_nH_2n+1COOH所示的直鏈或者1條或2條以上側鏈的羧酸為主成分，其中，n為2～6的整數。

2.如權利要求1所述的介電薄膜形成用組合物，其中，

用于構成所述復合金屬氧化物的原料為有機基團通過其氧原子或氮原子與金屬元素鍵合的化合物。

3.如權利要求1或2所述的介電薄膜形成用組合物，其中，

用于構成所述復合金屬氧化物的原料為選自金屬醇鹽、金屬二醇絡合物、金屬三元醇絡合物、金屬羧酸鹽、金屬β-二酮絡合物、金屬β-二酮酯絡合物、金屬β-亞氨基酮絡合物及金屬氨基絡合物中的1種或2種以上。

4.如權利要求1所述的介電薄膜形成用組合物，其中，

相對于所述組合物中的總量1摩爾，以3摩爾以下的比例進一步含有選自β-二酮、β-酮酸、β-酮酯、含氧酸、二醇、三元醇、高級羧酸、烷醇胺及多元胺中的1種或2種以上的穩定劑。

5.如權利要求1所述的介電薄膜形成用組合物，其中，

作為所述有機溶劑的主成分的羧酸為丙酸、正丁酸、異丁酸、正戊酸、異戊酸、2-甲基丁酸、特戊酸、正己酸、2-乙基丁酸、2，2-二甲基丁酸、3，3-二甲基丁酸、2，3-二甲基丁酸、3-甲基戊酸、4-甲基戊酸、正庚酸、2-甲基己酸、3-甲基己酸、4-甲基己酸、5-甲基己酸、2-乙基戊酸、3-乙基戊酸、4-乙基戊酸、2，2-二甲基戊酸、3，3-二甲基戊酸、4，4-二甲基戊酸、2，3-二甲基戊酸、2，4-二甲基戊酸、3，4-二甲基戊酸、2，2，3-三甲基丁酸或2，3，3-三甲基丁酸。

6.如權利要求1所述的介電薄膜形成用組合物，其中，

Ca源或Cu源中的至少一種為醋酸鹽。

7.如權利要求1所述的介電薄膜形成用組合物，其中，

Ca源或Cu源中的至少一種為環烷酸鹽。

8.如權利要求1所述的介電薄膜形成用組合物，其中，

Ti源為四異丙氧基鈦。

9.一種介電薄膜的形成方法，其特征在于，

將權利要求1至8中任一項所述的介電薄膜形成用組合物涂布于耐熱基板上，進行一次在空氣中、氧化氣氛中或含水蒸氣氣氛中加熱的工序或者重復進行該工序直到獲得所希望厚度的膜，至少在最后工序中的加熱中或加熱后以結晶化溫度以上的溫度燒成該膜。

10.一種介電薄膜，該介電薄膜通過權利要求9所述的方法形成。

11.一種具有權利要求10所述的介電薄膜的薄膜電容器、層疊薄膜電容器、集成無源器件、DRAM存儲器用電容器、層疊電容器、晶體管的柵極絕緣體或LC噪聲濾波器元件的復合電子組件。