[發(fā)明專利]半導(dǎo)體封裝件及其制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210002980.X
• 申請日: 2012-01-06
• 公開（公告）號: CN102509722A
• 公開（公告）日: 2012-06-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 黃哲豪;歐英德
• 申請（專利權(quán)）人: 日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/13
• 分類號: H01L23/13;H01L21/58
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 陸勍

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明是有關(guān)于一種半導(dǎo)體封裝件及其制造方法，且特別是有關(guān)于一種以多道切割工藝完成的半導(dǎo)體封裝件及其制造方法。

背景技術(shù)

傳統(tǒng)的半導(dǎo)體封裝件包括基板、封膠及芯片，其中芯片設(shè)于基板的表面上，而封膠覆蓋基板的表面且包覆芯片。

然而，由于封膠與基板的材質(zhì)不同，故其熱膨脹系數(shù)差異相當(dāng)大。因此，在封膠形成后，導(dǎo)致半導(dǎo)體封裝件的翹曲量甚大，而增加后續(xù)植球的難度。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明有關(guān)于一種半導(dǎo)體封裝件及其制造方法，半導(dǎo)體封裝件的翹曲量小，有助于提升植球的制造性。

根據(jù)本發(fā)明的一實施例，提出一種半導(dǎo)體封裝件。半導(dǎo)體封裝件包括一基板、一半導(dǎo)體芯片、一封裝體及數(shù)個焊球。基板具有一側(cè)面及相對的一上表面與一下表面。半導(dǎo)體芯片設(shè)于基板的上表面上。封裝體包覆半導(dǎo)體芯片且具有一凹陷部及一上表面，凹陷部相對基板的側(cè)面往凹陷且從封裝體的上表面往基板的方向延伸一距離，此距離至多等于封裝體的厚度，其中凹陷部與基板的側(cè)面于不同切割工藝中形成。焊球形成于基板的下表面上。

根據(jù)本發(fā)明的另一實施例，提出一種半導(dǎo)體封裝件的制造方法。制造方法包括以下步驟。提供一基板，具有相對的一上表面與一下表面；設(shè)置一半導(dǎo)體芯片于基板的上表面上；形成一封裝體包覆半導(dǎo)體芯片，其中封裝體具有一上表面；于封裝體中切割出一凹陷部，其中凹陷部從封裝體的上表面往基板的方向延伸一距離，此距離小于封裝體的厚度；形成數(shù)個焊球于基板的下表面上；以及，對應(yīng)凹陷部的位置，形成一切割道經(jīng)過封裝體及基板，以切斷封裝體及基板，其中切割道的寬度小于凹陷部的寬度。

為了對本發(fā)明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特舉實施例，并配合附圖，作詳細(xì)說明如下：

附圖說明

圖1A繪示依照本發(fā)明一實施例的半導(dǎo)體封裝件的外觀圖。

圖1B繪示圖1A中沿方向1B-1B’的剖面圖。

圖2A至2E繪示圖1A的半導(dǎo)體封裝件的制造過程圖。

主要元件符號說明：

100：半導(dǎo)體封裝件

100′：封裝結(jié)構(gòu)

110：基板

110b：下表面

110s、140s：側(cè)面

110u、140u：上表面

111：導(dǎo)電通孔

112：線路層

120：焊球

130：半導(dǎo)體芯片

140：封裝體

141b：底面

141：凹陷部

141s：側(cè)壁

142：一部分

150：焊線

160：載板160

161：黏貼層

H1、H2、H3：距離

P：切割道

S1、S2：刀具

T1、T2：厚度

W1、W2：寬度

具體實施方式

請參照圖1A，其繪示依照本發(fā)明一實施例的半導(dǎo)體封裝件的外觀圖。

半導(dǎo)體封裝件100包括基板110、數(shù)個焊球120、半導(dǎo)體芯片130、封裝體140及至少一焊線150(圖1B)。

請參照圖1B，其繪示圖1A中沿方向1B-1B’的剖面圖。

基板110例如是硅晶圓，其具有側(cè)面110s及相對的上表面110u與下表面110b，其中，側(cè)面110s采用刀具或激光切割形成。基板110可包括至少一導(dǎo)電通孔111及至少一線路層112。導(dǎo)電通孔111從基板110的上表面110u延伸至下表面110b，而線路層112延伸于基板110的上表面110u，并連接于導(dǎo)電通孔111。

基板110可增加半導(dǎo)體封裝件100的整體強(qiáng)度，以降低半導(dǎo)體封裝件100的翹曲量。

如圖1B所示，焊球120形成于基板110的下表面110b上，且形成于對應(yīng)的導(dǎo)電通孔111上。

如圖1B所示，半導(dǎo)體芯片130設(shè)于基板110的上表面110u上。本實施例中，半導(dǎo)體芯片130以朝上方位(face-up)設(shè)于基板110上，焊線150連接半導(dǎo)體芯片130與基板110的線路層112，使半導(dǎo)體芯片130電性連接于焊球120。

另一實施例中，雖然圖未繪示，半導(dǎo)體芯片130以朝下方位(face-down)設(shè)于基板110上，半導(dǎo)體芯片130包括至少一焊球，半導(dǎo)體芯片130以焊球連接于基板110。又一實施例中，雖然圖未繪示，然數(shù)個半導(dǎo)體芯片130可上下堆迭在一起，或邊靠邊(side-by-side)配置于基板110上。