[發明專利]具有通過粗化的改進的光提取的發光二極管(LED)無效
| 申請號： | 201210002738.2 | 申請日： | 2012-01-05 |
| 公開（公告）號： | CN102593288A | 公開（公告）日： | 2012-07-18 |
| 發明（設計）人： | 朱振甫;鄭好鈞;樊峰旭;劉文煌;鄭兆禎 | 申請（專利權）人： | 旭瑞光電股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/02 | 分類號： | H01L33/02 |
| 代理公司： | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人： | 任默聞 |
| 地址： | 528222 廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 具有 通過 改進 提取 發光二極管 led | ||
【權利要求書】：
1.一種發光二極管(LED)結構，該發光二極管結構包括：
用于發射光的多層半導體結構，所述結構的表面具有多個突起，其中，所述突起的側面與所述多層半導體結構的表面形成大于90°的角，并且其中所述結構的表面和所述突起被進行粗化或紋理化以獲得增加的表面積。
2.根據權利要求1所述的LED結構，其中，所述結構的表面和所述突起被以聚苯乙烯球體進行紋理化。
3.根據權利要求1所述的LED結構，其中，所述多層半導體結構包括：
p型摻雜層；
有源層，所述有源層被布置在所述p型摻雜層之上以用于發射光；以及
n型摻雜層，所述n型摻雜層被布置在所述有源層之上，使得具有所述多個突起的所述結構的表面是所述n型摻雜層的表面。
4.根據權利要求1所述的LED結構，該LED結構還包括布置在所述多層半導體結構之下的導電基底。
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