[發明專利]一種環形介質阻擋放電電離裝置無效
| 申請號: | 201210002610.6 | 申請日: | 2012-01-06 |
| 公開(公告)號: | CN102522310A | 公開(公告)日: | 2012-06-27 |
| 發明(設計)人: | 吳慶浩;程平;黃正旭;高偉;董俊國;周振;傅忠 | 申請(專利權)人: | 昆山禾信質譜技術有限公司 |
| 主分類號: | H01J49/12 | 分類號: | H01J49/12;H05H1/32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 環形 介質 阻擋 放電 電離 裝置 | ||
技術領域
本發明涉及一種電離裝置,特別是涉及一種環形介質阻擋放電電離裝置。
背景技術
等離子體技術被廣泛應用于臭氧發生、環境保護、紡織材料表面處理等領域。實現電離的方式主要包括輝光放電,介質阻擋放電,火花放電等。其中介質阻擋放電具有放電穩定,效率高,能夠避免電極污染等特點,因而成為重要的電離方式之一,被廣泛應用于表面處理,材料制備,材料改性,材料清洗等領域。中國專利CN200810227016.0介紹此種裝置還可以用于質譜領域,作為質譜中的電離源,具有功耗低,電離效率高等優點,且在高氣壓下的電離呈軟電離特性,使其在便攜式質譜中具有重要應用價值。
傳統的介質阻擋放電包括平板式介質阻擋放電、共面式介質阻擋放電、軸心式介質阻擋放電。其中,軸心式介質阻擋放電可以產生離子炬,使用簡便,但存在電極因放電而污染離子源等問題。中國專利CN200810018165.6和CN201010180017.1介紹的軸心式介質阻擋放電裝置,在軸向的中心電極與介質外側的電極之間放電,但由于同軸性難以保證,容易造成局部放電導致過熱,局部過熱則會導致放電不穩定,難以獲得理想的離子流。
發明內容
本發明的目的在于提供一種介質阻擋放電電離裝置,可作為等離子體技術應用,也可以作為質譜的電離源。本發明要解決的技術問題是:現有技術中存在的局部放電與放電不穩定的問題,以及金屬電極與放電區域接觸而造成污染的問題。
為解決上述技術問題,本發明所采取的技術方案是:
一種環形介質阻擋放電電離裝置,包括絕緣介質腔、放電電極、推斥電極、絕緣介質和供電電源,所述絕緣介質腔一端開口,另一端封閉且在靠近封閉端的側壁上設有氣體入口;所述放電電極為一組環形電極,緊密圍繞在所述絕緣介質腔中部外面,并用所述絕緣介質包敷;所述推斥電極為圓形金屬板,置于所述絕緣介質腔封閉端內部,且位于放電電極上方;所述供電電源為所述放電電極供電。
進一步地,所述絕緣介質腔由玻璃、石英、陶瓷等制作而成,這些材質不但具有良好的隔熱性能,還具有良好的絕緣性能,并且制作加工容易、價格較便宜。由于質譜儀本身含有較多的各種零部件,體積也不會太大,因此要求各部件在滿足功能需要時,體積盡量小,因此,絕緣介質腔內徑小于10mm,長度為20~200mm。
進一步地,所述放電電極的數量為2~100個,電極間距為0.1~10mm,電極寬度為0.1~10mm。放電電極的數量、電極間距、電極寬度可根據所述絕緣介質腔大小、所需電離氣體種類與需要的電極電壓、功率等具體而確定。
進一步地,所述推斥電極位于最上端的放電電極上方5~90mm。所述推斥電極距最上端的放電電極距離應根據絕緣介質腔大小、放電電極總高度等具體情況而確定,一般要求距離不小于5mm,以免推斥電極與放電電極形成相互干擾,而間距太大則推斥電極的電勢損費會加大,這些都會導致推斥電極效果下降。
進一步地,所述推斥電極施加正電壓或負電壓,電壓范圍為-1000~+1000V。電壓過低,則達不到推斥效果,電壓過高,則不但自身功耗增加而且會對引出電子效率產生不利影響。
進一步地,所述絕緣介質為環形中空絕緣材料。
進一步地,所述供電電源為高壓交流電源,頻率為0.6~490kHz,峰值電壓為250~80000V,工作功率為2~50W,交替施加于相鄰的放電電極上。
本發明具有如下優點:
1.由于放電電極均置于放電腔外側,因此避免了在放電過程中金屬電極蒸發或濺射而引起的金屬污染,同時可避免局部放電與放電不穩定現象。
2.在大氣壓下,可以由于空氣中水汽的存在,對樣品檢測時發生質子轉移反應,應用于質譜中時,因而具有很高的靈敏度,并且是一種軟電離源。同時本電離裝置還可以通入工作氣體,應用于表面處理等領域。
3.在低氣壓時,離子與分子反應較少,可以作為一種EI電離源。通過調節峰值的大小可以控制電子能量,從而提高對物種的鑒別能力。此外,由于沒有加熱裝置的存在,比起熱燈絲的EI電離源,本裝置具有很強的耐氧化性。不存在局部過熱、易損部件,因而具有更長的壽命。
4.電離裝置中的電源實際功率在10W左右,整個電離裝置的功耗比較低,有利于應用于便攜式質譜。
5.推斥電極的應用極大地提高了出口處的離子流。當推斥電極為正偏壓時,等離子體中的電子被吸引,從而使大量的正離子在出口處被噴射。反之亦然。
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