[發明專利]晶圓預對準控制方法無效
申請號: | 201210002328.8 | 申請日: | 2012-01-05 |
公開(公告)號: | CN103199048A | 公開(公告)日: | 2013-07-10 |
發明(設計)人: | 徐方;曲道奎;賈凱;鄒風山;宋吉來;劉曉帆;李邦宇;李崇 | 申請(專利權)人: | 沈陽新松機器人自動化股份有限公司 |
主分類號: | H01L21/68 | 分類號: | H01L21/68 |
代理公司: | 沈陽科苑專利商標代理有限公司 21002 | 代理人: | 許宗富 |
地址: | 110168 遼*** | 國省代碼: | 遼寧;21 |
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摘要: | |||
搜索關鍵詞: | 晶圓預 對準 控制 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種計算機控制領域,特別是指一種IC制造領域晶圓預對準控制方法。
背景技術
晶圓預對準控制是IC制造工藝中重要的環節之一。具體來說,晶圓預對準控制的過程,就是通過一定的方法,使得晶圓的圓心在一定的范圍之內,同時晶圓缺口停留在指定的角度,即包含圓心定位和缺口檢測兩個主要過程。
在現有的技術中,專利名稱為硅晶圓預對準控制方法,公開號為CN100355055C,采用了線陣CCD傳感器對晶圓邊緣數據采樣,找出缺口的大致位置,在缺口所在的一定范圍內對缺口邊緣數據進行二次細采樣,利用最小二乘法對采集的數據擬合得到缺口的圓心坐標,缺口圓心和晶圓圓心連線可得到晶圓缺口的邊緣中心坐標。此種方法由于需要對缺口邊緣數據進行二次掃描,大大影響了潔凈機器人的工作效率。文獻名稱為基于高精度測微儀的晶圓預對準方法,納米技術與精密工程7(3):249-253,對現有方法進行了改進,同樣對晶圓邊緣數據進行兩次采樣,確定出缺口的邊緣數據后,利用非線性最小二乘方法求解出缺口的圓心坐標,缺口圓心和晶圓圓心連線可得到晶圓缺口的中心坐標。采用非線性最小二乘法的優點在于對于缺口這樣較少數據量采樣點進行圓擬合可得到較高的精度。此方法的缺點在于在擬合迭代時采用前后計算出的缺口圓心的幾何距離作為迭代終止的判斷條件,由于缺口圓心半徑可能很大或者缺口不規則,這樣導致迭代次數過多或者找不到滿足判斷條件的結果,而且也是需要對晶圓邊緣進行兩次采樣,效率不高。
發明內容
鑒于以上內容,有必要提供一種快速高效的晶圓預對準控制方法。
一種晶圓預對準控制方法,包括以下步驟:提供了一負壓吸附旋轉裝置,用以將托盤和晶圓之間的空氣抽出形成真空狀態,并帶動晶圓轉動;傳感器;一用以采集晶圓邊緣數據,并記錄旋轉裝置的轉速信息;該方法還包括有晶圓定位及晶圓缺口定位,
所述晶圓定位方法包括以下步驟:
數據采樣:所述負壓吸附旋轉裝置帶動所述晶圓旋轉,所述傳感器采集所述晶圓旋轉一周過程中的邊緣數據,并同時記錄所述旋轉裝置的轉速信息;
數據預處理:去除波動較大的值、傳感器測量范圍的無效采樣數據及晶圓缺口范圍;
數據轉換:對所述傳感器采集到的數據進行處理,并轉換成晶圓邊緣采樣點的坐標值;
圓擬合:采用線性最小二乘圓算法擬合求得所述晶圓的半徑以及圓心坐標;
所述晶圓缺口定位方法包括以下步驟:
缺口粗定位:根據晶圓一周采樣數據,記錄下晶圓缺口范圍數據;
缺口擬合:采用Levenberg-Marquardt非線性最小二乘法對缺口數據進行圓擬合,通過迭代的方法尋找缺口圓心坐標;
迭代終止:計算每次迭代出來的缺口圓心坐標與晶圓圓心對于水平軸的角度值,將這個角度值的變化率作為迭代終止的條件,并將滿足終止條件的缺口圓心位置信息記錄下來;
缺口邊緣中心:將晶圓圓心與缺口圓心連線,與缺口邊緣相交的點的位置信息就是缺口邊緣中心的坐標值;
調整晶圓:根據晶圓中心坐標和缺口邊緣中心點坐標調整晶圓的角度和位置。
在一實施方式中,以所述旋轉裝置未轉動時為基準擬合一直角坐標系。
在一實施方式中,所述晶圓邊緣采樣點坐標值通過所述旋轉裝置的轉速信息以未轉動時為基準轉換的角度值及所述晶圓邊緣點至所述旋轉裝置中心的距離計算得出。
在一實施方式中,
所述晶圓中心坐標值計算步驟如下:
對于所有采集的邊緣數據[(x1,y1),(x2,y2),…,(xN,yN)]到圓中心(a,b)的幾何距離誤差和為:
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造