[發明專利]一種制備納米/微米晶復合結構純銅的方法

無效

• 申請號: 201210002302.3
• 申請日: 2012-01-05
• 公開（公告）號: CN102534703A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: 范愛玲;黃浪;張姍
• 申請（專利權）人: 北京工業大學
• 主分類號: C25D3/38
• 分類號: C25D3/38;C25D5/18;B82Y40/00
• 代理公司: 北京思海天達知識產權代理有限公司 11203
• 代理人: 劉萍

1.一種制備納米/微米晶復合結構純銅的方法；其特征在于：采用脈沖電源，通電階段電流密度為：20～28A/dm²，正占空比為：12％～25％，將陽極、陰極平行插入電解液中，陽極為純銅，陰極為不銹鋼；電解液的成分為硫酸銅：460～510克/升，添加劑成分為糖精：62～70克/升；電沉積在50℃～58℃恒溫下進行，沉積時間在30分鐘～2小時，并且在沉積過程中補充硫酸銅溶液。

2.根據權利要求1所述的一種制備納米/微米晶復合結構純銅的方法，其特征在于：電沉積過程中攪拌速度為：60～80轉/分。