[發明專利]加快模擬加法器響應速度的方法、模擬加法器及變壓器

有效

• 申請號: 201210002200.1
• 申請日: 2012-01-05
• 公開（公告）號: CN102654828A
• 公開（公告）日: 2012-09-05
• 發明（設計）人: 朱穎;孫建波;章莉;張錚棟;周松明
• 申請（專利權）人: 上海新進半導體制造有限公司
• 主分類號: G06F7/50
• 分類號: G06F7/50;H02M3/157
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 逯長明

1.一種加快模擬加法器響應速度的方法，應用于模擬加法器，該模擬加法器至少包括：跨導運算放大器，該跨導運算放大器具有未與輸出級電路連接的第一輸入端、以及與輸出級電路連接的第二輸入端，其特征在于，該方法包括：

改變所述第一輸入端所在支路中的電流，以使所述輸出級電路與所述第二輸入端所在支路之間產生電流，使得所述輸出級電路中的開關管工作在飽和區。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述改變所述第一輸入端所在支路中的電流包括：

將所述模擬加法器中的失調電流源與所述第一輸入端所在支路相連，以增加該支路中的電流。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述改變所述第一輸入端所在支路中的電流包括：

改變所述模擬加法器中的偏置電流源所在支路與所述第一輸入端所在支路的位置關系，以增大流過所述第一輸入端所在支路中限流電阻的電流。

4.一種模擬加法器，其特征在于，包括：跨導運算放大器、失調電流源、第一輸出電阻，其中，所述跨導運算放大器具有未與輸出級電路連接的第一輸入端，以及與輸出級電路連接的第二輸入端；

所述跨導運算放大器的第二輸入端連接接地端，第一輸入端為該模擬加法器的輸入端輸入有傳感電壓，輸出端經過第一金屬氧化物半導體場效應晶體管MOS管連接至所述第一輸出電阻的高電位端，所述第一輸出電阻的另一端接地，該第一輸出電阻的高電位端為該模擬加法器的輸出端；

所述失調電流源與所述跨導運算放大器的第一輸入端所在支路連接，以使所述輸出級電路中的開關管工作在飽和區。

5.根據權利要求4所述的模擬加法器，其特征在于，還包括：補償斜波電流源、第二輸出電阻，其中，

所述補償斜波電流源通過所述第二輸出電阻與所述第一輸出電阻的高電位端相連，且該第二輸出電阻的高電位端作為該模擬加法器的輸出端。

6.根據權利要求4或5所述的模擬加法器，其特征在于，所述跨導運算放大器包括：第一共源共柵偏置單元、輸入級電路、輸出級電路及反饋回路，其中：

所述第一共源共柵偏置單元與所述輸入級電路相連，用于為所述輸入級電路的MOS管提供偏置電流；

所述輸入級電路包括：第二MOS管、第三MOS管連接在所述第二MOS管源極的反饋電阻，以及連接在所述第三MOS管源極的第二輸入電阻，構成的鏡像電流源；

所述輸出級電路還包括：與所述第五MOS管串聯連接的第四MOS管，其中，所述第五MOS管的漏極連接第四MOS管，所述第五MOS管的柵極與所述第三MOS管的漏極相連，且該第五MOS管的柵極連接所述失調電流源；

所述反饋回路包括：所述第一MOS管和第五MOS管，所述第一MOS管的柵極連接所述第五MOS管的漏極，所述第五MOS管的源極連接至所述反饋電阻的高電位端。

7.根據權利要求6所述的模擬加法器，其特征在于：

所述輸出級電路中的第四MOS管的源極連接直流正電源，所述第四MOS管的柵極連接該第四MOS管的漏極，該第四MOS管的漏極連接所述第五MOS管的漏極，所述第五MOS管的源極連接所述反饋電阻的高電位端，所述第五MOS管的柵極連接所述第三MOS管的漏極，且該第五MOS管的柵極與所述失調電流源相連；

所述第一MOS管的柵極連接所述第四MOS管的柵極，所述第一MOS管的源極連接直流正電源，所述第一MOS管的漏極連接所述第二輸出電阻的高電位端。