[發明專利]一種基于IGBT與SiC雪崩二極管反并聯的串聯電路

無效

• 申請號: 201210001820.3
• 申請日: 2012-01-05
• 公開（公告）號: CN102545554A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: 吳銳;溫家良;陳中圓;韓健;王成昊
• 申請（專利權）人: 中國電力科學研究院
• 主分類號: H02M1/06
• 分類號: H02M1/06
• 代理公司: 北京安博達知識產權代理有限公司 11271
• 代理人: 徐國文

1.一種基于IGBT(2)與SiC雪崩二極管(3)反并聯的串聯電路(1)，其特征在于：所述串聯電路(1)包括串聯的IGBT(2)及其相應的SiC雪崩二極管(3)，IGBT(2)反并聯于其相應的SiC雪崩二極管(3)。

2.根據權利要求1所述的一種串聯電路(1)，其特征在于：正常工作時，所述IGBT(2)集電極與發射極之間為正常工作電壓，所述IGBT(2)集電極與發射極之間的電壓達到預定電壓額時，所述SiC雪崩二極管(3)導通。

3.根據權利要求2所述的一種串聯電路(1)，其特征在于：所述IGBT(2)集電極與發射極之間的正常工作電壓為1kV，所述預定電壓額為SiC雪崩二極管(3)電壓極限值1.3kV。

4.根據權利要求2所述的一種串聯電路(1)，其特征在于：SiC雪崩二極管(3)導通時間設計值短于其耐受時間限度。

5.一種電壓源換流器，一端連接高壓直流輸電的直流網絡側(4)，另一端連接三相交流網絡側(5)，其特征在于：所述電壓源換流器包括三相支路(6、7、8)，每相支路連接兩個換流閥(9-14)，所述換流閥包括如權利要求1-4任一項所述的串聯電路(1)。

6.根據權利要求5所述的一種電壓源換流器，其特征在于：所述IGBT(2)采用脈沖寬度調制控制。

7.一種電壓源換流器，一端連接高壓直流輸電的直流網絡側(4)，另一端連接三相交流網絡側(5)，其特征在于：所述電壓源換流器包括三相支路，三相支路均由多個子模塊(15)串聯而成，所述子模塊(15)包括并聯的IGBT模塊(16)和電容(17)，所述IGBT模塊(16)為半橋結構，所述半橋結構IGBT模塊(16)包括一個橋臂，所述橋臂包括上下兩個反并聯的IGBT(2)與SiC雪崩二極管(3)或如權利要求1所述的串聯電路(1)。