[發明專利]薄膜電容器的制造方法及通過該方法得到的薄膜電容器

在審

• 申請號: 201210001807.8
• 申請日: 2012-01-05
• 公開（公告）號: CN103198923A
• 公開（公告）日: 2013-07-10
• 發明（設計）人: 櫻井英章;渡邊敏昭;曽山信幸
• 申請（專利權）人: 三菱綜合材料株式會社
• 主分類號: H01G4/33
• 分類號: H01G4/33;H01G4/12
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 陳萬青;王珍仙

1.一種薄膜電容器的制造方法，包含：在基板上形成絕緣體膜的工序；在所述絕緣體膜上層疊粘附層的工序；在所述粘附層上形成下部電極的工序；將薄膜形成前驅體溶液涂布于所述下部電極上并進行干燥，從而形成涂膜的工序，所述薄膜形成前軀體溶液用于形成選自鈦酸鉛、鋯鈦酸鉛、添加第三種成分的鋯鈦酸鉛、添加鑭的鋯鈦酸鉛及添加第四種成分和鑭的鋯鈦酸鉛中的1種的介電薄膜，其中，鈦酸鉛為PT、鋯鈦酸鉛為PZT、添加第三種成分的鋯鈦酸鉛為三元系PZT、添加鑭的鋯鈦酸鉛為PLZT、添加第四種成分和鑭的鋯鈦酸鉛為四元系PLZT；通過燒成形成有所述涂膜的基板來形成介電薄膜的工序；及在所述介電薄膜上形成上部電極的工序，其特征在于，

形成所述下部電極之后，不進行高于300℃的溫度的退火處理而將所述前軀體溶液涂布于所述下部電極上，

以室溫～450℃范圍內的預定溫度進行所述干燥，

以高于所述干燥溫度的450～800℃范圍內的預定溫度進行所述燒成，

所述從涂布至燒成的工序中，進行1次或2次以上所述從涂布至燒成的工序，或者進行2次以上所述從涂布至干燥的工序之后，進行1次燒成，

初次燒成后形成的介電薄膜的厚度設為20～600nm。

2.如權利要求1所述的薄膜電容器的制造方法，其中，

下部電極的厚度與初次燒成后形成的介電薄膜的厚度之比，即下部電極的厚度/介電薄膜的厚度設為0.10～15.0的范圍。

3.一種支承體，在權利要求1或2所述的制造方法中使用，其中，

所述支承體具有：基板；絕緣體膜，形成于所述基板上；及下部電極，通過粘附層形成于所述絕緣體膜上，

所述下部電極中的平均晶體粒徑為100nm以下，并且優先取向于(111)面、(001)面或(110)面，

所述下部電極的殘余應力為-2000～-100MPa，

所述下部電極的厚度為50～600nm。

4.一種電子器件，具備通過權利要求1或2所述的制造方法得到的薄膜電容器。