[發(fā)明專利]IDT/AlN/金剛石多層膜結(jié)構(gòu)的聲表面波射頻識(shí)別標(biāo)簽

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210001758.8
• 申請(qǐng)日: 2012-01-05
• 公開（公告）號(hào): CN102637259A
• 公開（公告）日: 2012-08-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊保和;孫素娟;徐晟;李翠平
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 天津理工大學(xué)
• 主分類號(hào): G06K19/077
• 分類號(hào): G06K19/077
• 代理公司: 天津佳盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 12002
• 代理人: 廖曉榮

1.一種IDT/AlN/金剛石多層膜結(jié)構(gòu)的聲表面波射頻識(shí)別標(biāo)簽，包括單端口諧振器與倒F天線，其特征在于所述單端口諧振器為IDT/AlN/金剛石多層膜結(jié)構(gòu)；所述倒F天線在兩平行臂之間的連接段ac?間并聯(lián)一個(gè)電阻R和一個(gè)電容C。

2.?按照權(quán)利要求1所述的IDT/AlN/金剛石多層膜結(jié)構(gòu)的聲表面波射頻識(shí)別標(biāo)簽，其特征在于所述IDT/AlN/金剛石多層膜結(jié)構(gòu)中，是在硅襯底上采用微波等離子CVD法制備金剛石膜，其沉積厚度大于由該標(biāo)簽中心頻率所決定的聲表面波3倍波長(zhǎng)。

3.按照權(quán)利要求1所述的IDT/AlN/金剛石多層膜結(jié)構(gòu)的聲表面波射頻識(shí)別標(biāo)簽，其特征在于所述IDT/AlN/金剛石多層膜結(jié)構(gòu)中，是在金剛石膜上采用磁控射頻濺射系統(tǒng)制備C-軸取向的AlN薄膜，其厚度為1/5~1/4個(gè)聲表面波波長(zhǎng)。

4.按照權(quán)利要求1所述的IDT/AlN/金剛石多層膜結(jié)構(gòu)的聲表面波射頻識(shí)別標(biāo)簽，其特征在于所述IDT/AlN/金剛石多層膜結(jié)構(gòu)中，是在AlN薄膜上使用電子束蒸發(fā)系統(tǒng)制備Al膜，再用光刻系統(tǒng)刻蝕Al膜制成叉指換能器IDT和反射柵。

5.按照權(quán)利要求4所述的IDT/AlN/金剛石多層膜結(jié)構(gòu)的聲表面波射頻識(shí)別標(biāo)簽，其特征在于所述叉指換能器IDT的電極寬度為0.5μm~1.5μm，叉指換能器IDT厚度為50nm~120nm。

6.按照權(quán)利要求4或5所述的IDT/AlN/金剛石多層膜結(jié)構(gòu)的聲表面波射頻識(shí)別標(biāo)簽，其特征在于所述反射柵是由多個(gè)、間距在0.5μm~1.5μm之間選擇的獨(dú)立指條組成；反射柵厚度為50nm~100nm。

7.按照權(quán)利要求1-6所述的任一IDT/AlN/金剛石多層膜結(jié)構(gòu)的聲表面波射頻識(shí)別標(biāo)簽，其特征在于所述倒F?型天線的天線振子水平部分為螺旋天線形式。

8.按照權(quán)利要求7所述的IDT/AlN/金剛石多層膜結(jié)構(gòu)的聲表面波射頻識(shí)別標(biāo)簽，其特征在于天線是由楊白銅制成。