[發明專利]鈣鈦礦粉末及其制備方法和多層陶瓷電子元件

有效

• 申請號: 201210001751.6
• 申請日: 2012-01-05
• 公開（公告）號: CN103030403B
• 公開（公告）日: 2017-04-12
• 發明（設計）人: 全炯俊;崔暢學;劉正勛;金昶勛;樸今珍;白惠英
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H01G4/12
• 分類號: H01G4/12;H01G4/30;C04B35/628;C04B35/468;C04B35/49;C04B35/462;C04B35/505;C04B35/50
• 代理公司: 北京潤平知識產權代理有限公司11283
• 代理人: 王浩然,王鳳桐

1.一種鈣鈦礦粉末，所述鈣鈦礦粉末包括形成在所述鈣鈦礦粉末的顆粒的表面的涂層，并且所述涂層選自由硫化物和含有硫磺的鹽組成的組中的一種或多種。

2.根據權利要求1所述的鈣鈦礦粉末，其中，所述硫化物包括硫酸銨。

3.根據權利要求1所述的鈣鈦礦粉末，其中，所述含有硫磺的鹽包括選自由磷酸鹽和醋酸鹽組成的組中的一種或多種。

4.根據權利要求1所述的鈣鈦礦粉末，其中，所述涂層具有0.1-10nm的厚度。

5.根據權利要求1所述的鈣鈦礦粉末，其中，所述鈣鈦礦粉末包括選自由BaTiO₃、BaTi_xZr_1-xO₃、Ba_xY_1-xTiO₃、Ba_xDy_1-xTiO₃和Ba_xHo_1-xTiO₃組成的組中的一種或多種，其中0＜x＜1。

6.根據權利要求1所述的鈣鈦礦粉末，其中，所述鈣鈦礦粉末具有10-150nm的平均粒徑。

7.根據權利要求1所述的鈣鈦礦粉末，其中，所述鈣鈦礦粉末具有1.001-1.010的晶軸c/a比例。

8.一種制備鈣鈦礦粉末的方法，該方法包括：

混合金屬鹽和金屬氧化物以形成鈣鈦礦顆粒核；

混合所述鈣鈦礦顆粒核和溶于純凈水中的選自由硫化物和含有硫磺的鹽組成的組中的一種或多種，以形成混合物；以及

利用水熱處理從所述混合物中生長顆粒以得到包括形成在所述鈣鈦礦粉末顆粒的表面的涂層的所述鈣鈦礦粉末，并且涂層選自由硫化物和含有硫磺的鹽組成的組中的一種或多種。

9.根據權利要求8所述的方法，其中，所述硫化物包括硫酸銨。

10.根據權利要求8所述的方法，其中，所述含有硫磺的鹽包括選自由磷酸鹽和醋酸鹽組成的組中的一種或多種。

11.根據權利要求8所述的方法，其中，所述金屬鹽包括氫氧化鋇、或者氫氧化鋇和稀土鹽的混合物。

12.根據權利要求8所述的方法，其中，所述金屬氧化物包括氧化鈦或氧化鋯。

13.根據權利要求8所述的方法，其中，所述涂層具有0.1-10nm的厚度。

14.根據權利要求8所述的方法，其中，所述鈣鈦礦粉末具有10-150nm的平均粒徑。

15.根據權利要求8所述的方法，其中，所述鈣鈦礦粉末包括選自由BaTiO₃、BaTi_xZr_1-xO₃、Ba_xY_1-xTiO₃、Ba_xDy_1-xTiO₃和Ba_xHo_1-xTiO₃組成的組中的一種或多種，其中0＜x＜1。

16.根據權利要求8所述的方法，其中，所述鈣鈦礦粉末具有1.001-1.010的晶軸c/a比例。

17.一種多層陶瓷電子元件，所述多層陶瓷電子元件包括：

陶瓷主體，所述陶瓷主體包括電介質層以及內電極層；所述電介質層包括鈣鈦礦粉末，所述鈣鈦礦粉末具有形成在所述鈣鈦礦粉末顆粒表面的涂層，并且所述涂層選自由硫化物和含有硫磺的鹽組成的組中的一種或多種；當在所述陶瓷主體內部具有所述電介質層插入到內電極層之間時，所述內電極層彼此相對。

18.根據權利要求17所述的多層陶瓷電子元件，其中，所述涂層具有0.1-10nm的厚度。