[發(fā)明專利]畫素結(jié)構(gòu)

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210001715.X
• 申請日: 2012-01-05
• 公開（公告）號: CN102445803A
• 公開（公告）日: 2012-05-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃雋堯;陳柏瑋;馬竣人;許宇嬋
• 申請（專利權(quán)）人: 福建華映顯示科技有限公司;中華映管股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1345
• 代理公司: 福州元?jiǎng)?chuàng)專利商標(biāo)代理有限公司 35100
• 代理人: 蔡學(xué)俊

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明是有關(guān)于一種畫素結(jié)構(gòu)，且特別是有關(guān)于一種可改善光漏電問題的畫素結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

平面顯示器具有輕薄、省電、低輻射等優(yōu)點(diǎn)，因此已成為顯示產(chǎn)業(yè)中的主流。平面顯示器包括液晶顯示器以及有機(jī)電激發(fā)光顯示器，其中液晶顯示器具有低成本的優(yōu)勢，因此已普遍地被應(yīng)用在各類電子產(chǎn)品中。

一般而言，液晶顯示器包括液晶顯示面板以及提供液晶顯示面板光源的背光模塊。液晶顯示面板具有多個(gè)畫素結(jié)構(gòu)的主動(dòng)元件陣列基板、相對于主動(dòng)元件陣列基板的對向基板、以及位于主動(dòng)元件陣列基板與對向基板之間的液晶層。畫素結(jié)構(gòu)包括薄膜晶體管以及與薄膜晶體管電性連接的畫素電極。背光模塊所提供的光線穿過液晶顯示面板，進(jìn)而使液晶顯示器可顯示畫面。然而，在公知技術(shù)中，薄膜晶體管的通道可能被背光模塊提供的光線所照射到，而使薄膜晶體管發(fā)生光漏電問題，進(jìn)而影響液晶顯示面板的顯示質(zhì)量。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本發(fā)明提供一種畫素結(jié)構(gòu)，其可改善薄膜晶體管的光漏電問題。

本發(fā)明提供一種畫素結(jié)構(gòu)，包括基板、遮光導(dǎo)電圖案、第一絕緣層、薄膜晶體管以及畫素電極。遮光導(dǎo)電圖案位于基板上。第一絕緣層覆蓋基板以及遮光導(dǎo)電圖案。第一絕緣層位于薄膜晶體管與基板之間。薄膜晶體管具有通道。薄膜晶體管的通道被遮光導(dǎo)電圖案完全地遮蔽。畫素電極與薄膜晶體管電性連接。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的畫素結(jié)構(gòu)更包括：與薄膜晶體管電性連接的掃描線，其中遮光導(dǎo)電圖案與掃描線重疊。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的掃描線具有被第一貫孔截出的第一邊緣及第二邊緣。第一邊緣及第二邊緣與遮光導(dǎo)電圖案實(shí)質(zhì)上重疊，且第一邊緣透過遮光導(dǎo)電圖與第二邊緣電性連接。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的畫素結(jié)構(gòu)更包括：與畫素電極重疊的儲存電容圖案，其中遮光導(dǎo)電圖案與儲存電容圖案重疊。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的儲存電容圖案具有被第二貫孔截出的第三邊緣及第四邊緣。第三邊緣及第四邊緣與遮光導(dǎo)電圖案實(shí)質(zhì)上重疊，且第三邊緣透過遮光導(dǎo)電圖與第四邊緣電性連接。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的薄膜晶體管更具有源極、汲極以及閘極。源極與汲極分別位于通道層相對兩側(cè)且與通道層重疊。汲極與畫素電極電性連接。閘極與源極、汲極以及通道層重疊。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的畫素結(jié)構(gòu)，更包括：與源極電性連接的資料線、與資料線交錯(cuò)且與閘極電性連接的掃描線以及與畫素電極重疊的儲存電容圖案。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的閘極、掃描線以及儲存電容圖案屬于同一膜層。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的畫素結(jié)構(gòu)，更包括：第二絕緣層。第二絕緣層覆蓋閘極、掃描線、儲存電容圖案以及基板，且位于通道層與閘極之間。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的畫素結(jié)構(gòu)，更包括：第三絕緣層。第三絕緣層覆蓋薄膜晶體管以及基板。第三絕緣層具有開口。此開口曝露出薄膜晶體管的汲極。畫素電極填入此開口而與薄膜晶體管的汲極接觸。

基于上述，在本發(fā)明的畫素結(jié)構(gòu)中，遮光導(dǎo)電圖案可利用完全遮蔽薄膜晶體管的通道，而可減少薄膜晶體管的通道被光線照射到的機(jī)率。如此一來，公知技術(shù)中薄膜晶體管的光漏電問題便可獲得改善。

為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合所附圖式作詳細(xì)說明如下。

附圖說明

圖1A為本發(fā)明一實(shí)施例的畫素結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。

圖1B是對應(yīng)圖1A的剖線A-A’所繪的剖面圖。

圖2A是圖1A的畫素結(jié)構(gòu)的掃描線發(fā)生斷線的情形。

圖2B為沿圖2A的剖線B-B’所繪的剖面圖。

圖3A是圖1A的畫素結(jié)構(gòu)的儲存電容圖案發(fā)生斷線的情形。

圖3B為沿圖3A的剖線C-C’所繪的剖面圖。

圖中：100畫素結(jié)構(gòu)，110基板，120遮光導(dǎo)電圖案，130第一絕緣層，140儲存電容圖案，150第二絕緣層，160第三絕緣層，160a開口，170導(dǎo)電材料，CH通道，D汲極，DL資料線，E1~E4邊緣；G閘極，H1、H2貫孔，L雷射，PE畫素電極，S源極，SL掃描線，T薄膜晶體管。

具體實(shí)施方式