[發明專利]基于環形諧振腔的多波長半導體激光器

有效

• 申請號: 201210001596.8
• 申請日: 2012-01-05
• 公開（公告）號: CN102570310A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 齊利芳;李獻杰;趙永林;蔡道民;尹順政;過帆
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第十三研究所
• 主分類號: H01S5/40
• 分類號: H01S5/40;H01S5/22;H01S5/06
• 代理公司: 石家莊國為知識產權事務所 13120
• 代理人: 米文智

1.一種基于環形諧振腔的多波長半導體激光器，其特征在于自下而上依次包括襯底層（7）、緩沖層（6）、下包層（5）、激活層（4）、上包層（3）和歐姆接觸層（2）；所述激光器上設有至少由歐姆接觸層（2）與部分上包層（3）或全部上包層（3）共同形成的在正向偏壓下可產生激光光束的環形脊波導（10）以及在正向偏壓下可放大激光光束光功率的耦合波導（9）；所述環形脊波導（10）與激活層（4）組成環形諧振腔；所述環形脊波導（10）為一個以上，各環形脊波導（10）的周長互不相等；所述耦合波導（9）與環形脊波導（10）相鄰設置。

2.根據權利要求1所述的基于環形諧振腔的多波長半導體激光器，其特征在于所述環形脊波導（10）由歐姆接觸層（2）和部分上包層（3）組成。

3.根據權利要求1或2所述的基于環形諧振腔的多波長半導體激光器，其特征在于所述環形脊波導（10）的形狀為圓形、跑道形、三角形或矩形；所述耦合波導（9）的形狀為直線形或弧線形。

4.根據權利要求1或2所述的基于環形諧振腔的多波長半導體激光器，其特征在于所述環形脊波導（10）位于耦合波導（9）的一側或兩側。

5.根據權利要求1或2所述的基于環形諧振腔的多波長半導體激光器，其特征在于所述激活層（4）采用量子阱結構。

6.根據權利要求1或2所述的基于環形諧振腔的多波長半導體激光器，其特征在于在所述耦合波導（9）與環形脊波導（10）的上表面上均設有上電極金屬層（1），在所述襯底層（7）的下表面上設有下電極金屬層（8）。