[發明專利]一種改善光性能的歐姆接觸電極的制造方法無效
| 申請號： | 201210001595.3 | 申請日： | 2012-01-05 |
| 公開（公告）號： | CN102569584A | 公開（公告）日： | 2012-07-11 |
| 發明（設計）人： | 楊繼遠 | 申請（專利權）人： | 楊繼遠 |
| 主分類號： | H01L33/38 | 分類號： | H01L33/38;H01L33/40 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 100081 北京市*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 改善 性能 歐姆 接觸 電極 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種改善光性能的歐姆接觸電極的制造方法，其特征在于：在外延片表面蒸發薄層的AuBe合金，經過光刻、蝕刻工藝在外延層表面形成點狀(dots)歐姆接觸層。
2.根據權利要求1所述的改善光性能的歐姆接觸電極的制造方法，其特征在于：合金化溫度在450℃～500℃之間，合金化時間為5～12分鐘。
3.根據權利要求2所述的改善光性能的歐姆接觸電極的制造方法，其特征在于點狀(dots)歐姆接觸層(AuBe合金)的尺寸為10微米-20微米。
4.根據權利要求3所述的改善光性能的歐姆接觸電極的制造方法，其特征在于：在外延片表面沉積ITO與SiO2薄層。
5.根據權利要求1、2、3或4所述的改善光性能的歐姆接觸電極的制造方法，其特征在于：外延片表面首先蒸發點狀(dots)歐姆接觸層，通過光刻、蝕刻工藝對圖形進行處理，接觸進行合金化處理，合金溫度為：450℃～500℃，合金化時間為：5～12分鐘，然后蒸發、沉積ITO、SiO2層。
6.根據權利要求4所述的改善光性能的歐姆接觸電極的制造方法，其特征在于：在外延片表面沉積ITO為薄層、SiO2為薄層。
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