[發明專利]功率三極管芯片薄片制造方法

無效

• 申請號: 201210001574.1
• 申請日: 2012-01-05
• 公開（公告）號: CN102543728A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: 王友鑄;楊曉智;李建球
• 申請（專利權）人: 深圳市鵬微科技有限公司
• 主分類號: H01L21/331
• 分類號: H01L21/331;H01L21/324
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 黃韌敏

1.一種功率三極管芯片薄片制造方法，其特征在于，包括如下步驟：

在芯片加工正面金屬電極形成后，用減薄設備對芯片背面進行減薄處理；

將所述芯片背面注入濃磷，并進行背面加熱退火處理；

對所述芯片背面進行金屬化處理。

2.根據權利要求1所述的薄片制造方法，其特征在于，所述對所述芯片背面進行金屬化處理步驟包括：將所述芯片背面用氫氟酸進行擦拭腐蝕，去除所述芯片背面的氧化層。

3.根據權利要求2所述的薄片制造方法，其特征在于，所述對所述芯片背面進行金屬化處理步驟之后進一步包括：對所述芯片背面進行清洗處理，然后對所述芯片背面進行金屬蒸發處理、測試和劃片。

4.根據權利要求1所述的薄片制造方法，其特征在于，所述將所述芯片背面進行加熱退火處理步驟中，所述芯片背面通過紅外加熱設備進行加熱。

5.根據權利要求1所述的薄片制造方法，其特征在于，所述芯片進行減薄處理后的厚度為70um～100um。