[發(fā)明專利]覆晶式發(fā)光二極管及其制法與應(yīng)用

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210001543.6
• 申請(qǐng)日: 2012-01-05
• 公開（公告）號(hào): CN103165782A
• 公開（公告）日: 2013-06-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 宋健民;甘明吉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 錸鉆科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/40
• 分類號(hào): H01L33/40;H01L33/64;H01L33/62
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 湯保平

1.一種覆晶式發(fā)光二極管，包括：

一基板；

一半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)，其位于該基板上方且包含一第一半導(dǎo)體外延層、一第二半導(dǎo)體外延層、以及一盲孔，其中，該第一半導(dǎo)體外延層與該第二半導(dǎo)體外延層是層迭設(shè)置，且該盲孔貫穿該第二半導(dǎo)體外延層；

一第一類金剛石/導(dǎo)電材料多層復(fù)合結(jié)構(gòu)，位于該半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)的該第一半導(dǎo)體外延層上方，并電性連接該半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)的該第一半導(dǎo)體外延層，以做為一第一電極，其中，該第一類金剛石/導(dǎo)電材料多層復(fù)合結(jié)構(gòu)填充于該半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)的該盲孔中；

一第二類金剛石/導(dǎo)電材料多層復(fù)合結(jié)構(gòu)，位于該半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)的該第二半導(dǎo)體外延層上方，并電性連接該半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)的該第二半導(dǎo)體外延層，以做為一第二電極；以及

一絕緣保護(hù)層，覆蓋該半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)的該第一半導(dǎo)體外延層的側(cè)壁以及該第二半導(dǎo)體外延層的側(cè)壁，以及該盲孔的內(nèi)壁表面，以隔絕該第一類金剛石/導(dǎo)電材料多層復(fù)合結(jié)構(gòu)與該第二半導(dǎo)體外延層之間的接觸。

2.如權(quán)利要求1所述的覆晶式發(fā)光二極管，其中，該半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)還包括一活性中間層，該活性中間層是夾置于該第一半導(dǎo)體外延層與該第二半導(dǎo)體外延層之間，且該盲孔貫穿該活性中間層。

3.如權(quán)利要求1所述的覆晶式發(fā)光二極管，其中，該第一類金剛石/導(dǎo)電材料多層復(fù)合結(jié)構(gòu)、以及該第二類金剛石/導(dǎo)電材料多層復(fù)合結(jié)構(gòu)選自由導(dǎo)電材料層與導(dǎo)電類碳鉆層疊層結(jié)構(gòu)、導(dǎo)電材料與類金剛石混合物多層結(jié)構(gòu)、以及導(dǎo)電材料與導(dǎo)電性類金剛石混合物多層結(jié)構(gòu)所組群組的至少一種。

4.如權(quán)利要求3所述的覆晶式發(fā)光二極管，其中，該導(dǎo)電材料層或該導(dǎo)電材料的材質(zhì)選自由銦錫氧化物、氧化鋁鋅、氧化鋅、石墨烯、鈦、鋁、鉻、鎳、鉑、鉬、鎢、銀、鉑、以及金所組群組的至少一種。

5.如權(quán)利要求3所述的覆晶式發(fā)光二極管，其中，該第一類金剛石/導(dǎo)電材料多層復(fù)合結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電材料層表面與該第二類金剛石/導(dǎo)電材料多層復(fù)合結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電材料層表面形成一共平面。

6.如權(quán)利要求3所述的覆晶式發(fā)光二極管，其中，該第一類金剛石/導(dǎo)電材料多層復(fù)合結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電類金剛石層表面與該第二類金剛石/導(dǎo)電材料多層復(fù)合結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電類金剛石層表面形成一共平面。

7.如權(quán)利要求1所述的覆晶式發(fā)光二極管，其中，該第一類金剛石/導(dǎo)電材料多層復(fù)合結(jié)構(gòu)的表面與該第二類金剛石/導(dǎo)電材料多層復(fù)合結(jié)構(gòu)的表面形成一共平面。

8.如權(quán)利要求1所述的覆晶式發(fā)光二極管，還包括：一第一金屬焊接層，位于該第一類金剛石/導(dǎo)電材料多層復(fù)合結(jié)構(gòu)上；以及一第二金屬焊接層，位于該第二類金剛石/導(dǎo)電材料多層復(fù)合結(jié)構(gòu)上，其中，該第二金屬焊接層的表面與該第一金屬焊接層的表面形成一共平面。

9.如權(quán)利要求8所述的覆晶式發(fā)光二極管，其中，該第一類金剛石/導(dǎo)電材料多層復(fù)合結(jié)構(gòu)的表面、該第二類金剛石/導(dǎo)電材料多層復(fù)合結(jié)構(gòu)的表面、該第二金屬焊接層的表面、或/及第一金屬焊接層的表面是高于或低于該絕緣保護(hù)層的表面或與其形成一共平面。

10.如權(quán)利要求1所述的覆晶式發(fā)光二極管，還包含一反射層，夾置于該半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)與該第二類金剛石/導(dǎo)電材料多層復(fù)合結(jié)構(gòu)之間。

11.如權(quán)利要求1所述的覆晶式發(fā)光二極管，其中，該絕緣保護(hù)層的材質(zhì)選自由氮化硅、二氧化硅、以及絕緣類金剛石所組群組中的至少一種。

12.如權(quán)利要求1所述的覆晶式發(fā)光二極管，其中，該第一半導(dǎo)體外延層以及該第一類金剛石/導(dǎo)電材料多層復(fù)合結(jié)構(gòu)是N型，該第二半導(dǎo)體外延層以及該第二類金剛石/導(dǎo)電材料多層復(fù)合結(jié)構(gòu)是P型。