[發明專利]一種原子層沉積裝置

有效

• 申請號: 201210001350.0
• 申請日: 2012-01-04
• 公開（公告）號: CN102677022A
• 公開（公告）日: 2012-09-19
• 發明（設計）人: 陳強;楊麗珍;王正鐸;桑利軍;劉忠偉;張受業
• 申請（專利權）人: 北京印刷學院
• 主分類號: C23C16/50
• 分類號: C23C16/50
• 代理公司: 北京思海天達知識產權代理有限公司 11203
• 代理人: 劉萍

1.一種原子層沉積裝置，其特征在于：該裝置包括配氣系統(1)、真空腔室(2)、陣列式空心陰極上電極(3)、平板式接地下電極(4)、抽真空系統(5)、電源系統(6)，所述陣列式空心陰極上電極(3)帶有多個均勻分布的直徑范圍為1-3mm的通孔，相鄰的孔的間距為2-4mm，陣列式空心陰極上電極(3)與平板式接地下電極(4)之間的間距為5-20mm，陣列式空心電極(3)連接配氣系統(1)的供氣管道。所述式空心陰極陣列電極(3)的接線柱連接到所述電源系統(6)的高壓電極一端，并與所述裝置的真空腔室、平板式接地下電極保持絕緣，所述電源系統(6)的接地端連接到所述真空腔室(2)和所述平板電極(4)上。

2.根據權利要求1所述的原子層沉積裝置，其特征在于：所述電源系統(6)，是60-100MHz的甚高頻電源、2-60MHz的高頻射頻電源、10-60KHz的中頻電源、10-60KHz的單極性或雙極性脈沖直流電源中的任一種。

3.根據權利要求1所述的具有陣列式空心陰極結構的原子層沉積裝置，所述平板電極(4)設有加熱裝置。