[發(fā)明專利]層間距可調(diào)的高純度水滑石類化合物的簡(jiǎn)單制備方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210001041.3 | 申請(qǐng)日: | 2012-01-05 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN102530881A | 公開(kāi)(公告)日: | 2012-07-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 萬(wàn)東錦;陳靜;孫旭鐲;王寧;劉文舉;劉永德;李道榮 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 河南工業(yè)大學(xué) |
| 主分類號(hào): | C01B13/14 | 分類號(hào): | C01B13/14 |
| 代理公司: | 暫無(wú)信息 | 代理人: | 暫無(wú)信息 |
| 地址: | 450001 河*** | 國(guó)省代碼: | 河南;41 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 間距 可調(diào) 純度 滑石 化合物 簡(jiǎn)單 制備 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及水滑石類化合物的制備方法,屬于材料合成領(lǐng)域。本發(fā)明提出了一種制備高純度的水滑石類化合物的簡(jiǎn)單方法,具體是:通過(guò)調(diào)整原料液中二價(jià)金屬及三價(jià)金屬含量配比,可得到層間距不同的水滑石類化合物;通過(guò)多次離心分離洗滌,采用電導(dǎo)率儀監(jiān)測(cè)雜質(zhì)鹽類的洗脫情況從而獲得高純度的水滑石類化合物。
技術(shù)背景
水滑石類化合物是一類由帶正電荷層和層間填充帶負(fù)電荷的陰離子所構(gòu)成的層狀化合物,理想化學(xué)組成為Mg6AL2(OH)16CO3·4H2O。其層狀結(jié)構(gòu)可由水鎂石Mg(OH)2的結(jié)構(gòu)衍生而來(lái),Mg(OH)2八面體共用棱形成單元層,位于層上的Mg2+可在一定的范圍內(nèi)被Al3+同晶取代,使得層板帶正電荷,層間有可交換的CO32-與層板上的正電荷平衡,使得其整體結(jié)構(gòu)呈電中性。由于層板和層間陰離子通過(guò)氫鍵連接,使得層間陰離子具有可交換性。后來(lái)人們利用其他同價(jià)離子同晶取代Mg2+、Al3+離子人工合成了各種類型的類水滑石化合物(Hydrotalcite-like?compounds,簡(jiǎn)稱HTLCS),分子通式為[M2+(1-X)N3+X(OH)2]X+[An-]X/n·zH2O,M2+為二價(jià)金屬陽(yáng)離子,N3+是三價(jià)金屬陽(yáng)離子,An-為陰離子,X為N3+/(M2++N3+)比率,一般來(lái)說(shuō),X的值在0.2-0.33之間,即M2+/N3+摩爾比介于2至4之間。水滑石具有層間離子交換性和記憶效應(yīng)兩大特性,經(jīng)培燒的水滑石氧化物在一定條件下可重新吸收水中陰離子從而恢復(fù)為水滑石的層狀結(jié)構(gòu),這種獨(dú)特的結(jié)構(gòu)記憶效應(yīng)使得水滑石可以作為高效陰離子吸附劑而使用。同時(shí),水滑石以其獨(dú)特的結(jié)構(gòu)和性能,在建筑材料、環(huán)保、催化、醫(yī)藥及有機(jī)合成領(lǐng)域也得到了十分廣泛的應(yīng)用。
目前,用于制備水滑石類化合物的方法主要有共沉淀法、水熱合成法、離子交換法、焙燒復(fù)原法、尿素分解法。但上述方法中,對(duì)產(chǎn)品的洗滌方式及條件尚沒(méi)有明確的認(rèn)識(shí),而洗滌環(huán)節(jié)成功與否直接影響產(chǎn)品純度。同時(shí),對(duì)層間距不同的水滑石的制備也沒(méi)有確定的技術(shù)路線。
本發(fā)明的目的:提出一種可制備不同層間距的高純度水滑石類化合物的簡(jiǎn)單方法,使其與傳統(tǒng)方法相比,反應(yīng)條件易于操控,簡(jiǎn)單易行,可獲得層間距不同的高純度水滑石類化合物,適合標(biāo)準(zhǔn)化、規(guī)模化工業(yè)生產(chǎn)。
發(fā)明內(nèi)容
一種層間距可調(diào)的高純度水滑石類粘土化合物,其化學(xué)組成和分子通式為:
「M2+(1-X)N3+X(OH)2」X+「An-」X/n·zH2O
其中M2+為二價(jià)金屬陽(yáng)離子,N3+是三價(jià)金屬陽(yáng)離子,An-為陰離子,X為N3+/(M2++N3+)比率。該化合物層板為M2+及N3+的氫氧化物,層間為陰離子An-及少量結(jié)合水。
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