[發明專利]GaAs基多層自組織量子點結構及其制備方法有效
| 申請號： | 201210000830.5 | 申請日： | 2012-01-04 |
| 公開（公告）號： | CN103199438A | 公開（公告）日： | 2013-07-10 |
| 發明（設計）人： | 王琦;賈志剛;郭欣;任曉敏;黃永清 | 申請（專利權）人： | 北京郵電大學 |
| 主分類號： | H01S5/343 | 分類號： | H01S5/343 |
| 代理公司： | 北京路浩知識產權代理有限公司 11002 | 代理人： | 王瑩 |
| 地址： | 100876 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | gaas 基多 組織 量子 結構 及其 制備 方法 | ||
1.一種GaAs基多層自組織量子點結構，包括：襯底、位于所述襯底上的緩沖層、位于所述緩沖層上的N層量子點層及位于所述N層量子點層之上的帽層，所述每兩層量子點層之間設有間隔層，其特征在于，至少有一組相鄰兩層量子點層之間的間隔層為兩層，兩層間隔層之間還設有應變補償層。
2.如權利要求1所述的GaAs基多層自組織量子點結構，其特征在于，每兩層相鄰量子點層之間的間隔層為兩層，兩層間隔層之間還設有應變補償層。
3.如權利要求1或2所述的GaAs基多層自組織量子點結構，其特征在于，所述應變補償層的材料的晶格常數小于間隔層的材料的晶格常數。
4.如權利要求3所述的GaAs基多層自組織量子點結構，其特征在于，所述應變補償層的材料為BGaAs、BAlAs、BGaP或BAlP，所述間隔層的材料為GaAs或InGaAs。
5.如權利要求1或2所述的GaAs基多層自組織量子點結構，其特征在于，所述量子點層包括：量子點基底層、位于所述量子點基底層上的量子點有源層及位于所述量子點有源層上的量子點蓋層。
6.如權利要求5所述的GaAs基多層自組織量子點結構，其特征在于，所述量子點基底層的材料為GaAs、GaAsN、GaAsSb、InGaAs、AlGaAs中的一種或幾種組合。
7.如權利要求5所述的GaAs基多層自組織量子點結構，其特征在于，所述量子點有源層的材料為InAs、AlSb、GaSb、InSb、InGaAs中的一種。
8.如權利要求5所述的GaAs基多層自組織量子點結構，其特征在于，所述量子點蓋層的材料為GaAs、InGaAs、GaAsSb、InGaAsSb中的一種。
9.一種GaAs基多層自組織量子點結構制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
S1：在襯底上生長緩沖層；
S2：在緩沖層上逐層生長包括自組織量子點層的層次結構；
S3：最后在多層量子點層的頂部生長帽層。
10.如權利要求9所述的GaAs基多層自組織量子點結構制備方法，其特征在于，所述步驟S2具體包括：
S2.1：生長自組織量子點基底層；
S2.2：在所述量子點基底層上生長自組織量子點有源層；
S2.3：在所述量子點有源層上生長量子點蓋層；
S2.4：在所述量子點蓋層上依次生長第一間隔層、應變補償層和第二間隔層；
S2.5：在所述第二間隔層上生長自組織量子點基底層；
S2.6：在所述量子點基底層上生長自組織量子點有源層；
S2.7：重復S2.1～S2.6步驟若干次，形成多層量子點結構。
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