[其他]線內處理系統有效
| 申請號： | 201190000982.4 | 申請日： | 2011-10-17 |
| 公開（公告）號： | CN203631496U | 公開（公告）日： | 2014-06-04 |
| 發明（設計）人： | M·P·斯圖爾特 | 申請（專利權）人： | 應用材料公司 |
| 主分類號： | H01L21/67 | 分類號： | H01L21/67;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人： | 陸嘉 |
| 地址： | 美國加利*** | 國省代碼： | 美國;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 處理 系統 | ||
1.一種線內處理系統，其特征在于，所述線內處理系統包含：?
摻雜模塊，所述摻雜模塊被裝配成將摻雜劑材料層涂覆至基板的一個或多個表面；?
激光掃描模塊，將所述激光掃描模塊放置在所述摻雜模塊的下游，并且所述激光掃描模塊具有激光，所述激光被裝配成將圖案掃描在所述摻雜劑材料上，從而使原子擴散進入所述基板，以在所述基板內產生重摻雜區圖案；以及?
熱處理模塊，將所述熱處理模塊放置在所述激光掃描模塊的下游，所述熱處理模塊被裝配成使所述基板加熱至大于800攝氏度，從而在所述基板內形成發射極場區。?
2.如權利要求1所述的線內處理系統，其特征在于，所述摻雜模塊被裝配成向所述基板涂覆液體摻雜劑。?
3.如權利要求2所述的線內處理系統，其特征在于，所述線內處理系統進一步包含干燥模塊，所述干燥模塊位于所述摻雜模塊的下游，所述干燥模塊被裝配成干燥所述液體摻雜劑。?
4.如權利要求1所述的線內處理系統，其特征在于，所述摻雜模塊為化學氣相沉積模塊，所述化學氣相沉積模塊被裝配成向所述基板涂覆摻雜劑包層。?
5.如權利要求1所述的線內處理系統，其特征在于，所述摻雜模塊被裝配成用于涂覆所述摻雜劑，包含將液體摻雜劑涂覆至所述基板的至少一個表面。?
6.如權利要求3所述的線內處理系統，其特征在于，所述干燥模塊被裝配成使所述摻雜劑在介于50攝氏度至350攝氏度?之間的溫度下干燥。?
7.如權利要求1所述的線內處理系統，其特征在于，所述摻雜模塊被裝配成將摻雜劑材料包層沉積在所述基板的一個或多個表面上。?
8.如權利要求1所述的線內處理系統，其特征在于，所述重摻雜區的圖案包含介于6%至10%的所述基板表面。?
9.如權利要求8所述的線內處理系統，其特征在于，所述重摻雜區具有介于10歐姆/平方至30歐姆/平方的薄層電阻。?
10.如權利要求9所述的線內處理系統，其特征在于，所述發射極場區具有介于50歐姆/平方至100歐姆/平方的薄層電阻。?
11.如權利要求1所述的線內處理系統，其特征在于，所述熱處理模塊被裝配成在800攝氏度至1300攝氏度之間的溫度下加熱所述基板。?
12.如權利要求1所述的線內處理系統，其特征在于：?
所述摻雜模塊被裝配成在硅基板的一個或多個表面上涂覆摻雜劑材料層；?
其中所述激光掃描模塊被裝配成產生重摻雜區的圖案，所述重摻雜區具有小于50歐姆/平方的薄層電阻；以及?
其中所述線內處理系統進一步被裝配成將一個或多個導電觸點沉積到所述重摻雜區上。?
13.如權利要求12所述的線內處理系統，其特征在于，所述摻雜模塊被裝配成沉積摻雜劑包層。?
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
