[發明專利]全背接觸太陽能電池和制造方法在審
| 申請號: | 201180073965.8 | 申請日: | 2011-11-16 |
| 公開(公告)號: | CN103858239A | 公開(公告)日: | 2014-06-11 |
| 發明(設計)人: | 托馬斯·穆勒;阿明·杰哈德·阿伯利 | 申請(專利權)人: | 天合光能發展有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224;H01L31/0256;H01L31/068 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 張欣 |
| 地址: | 新加坡*** | 國省代碼: | 新加坡;SG |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 接觸 太陽能電池 制造 方法 | ||
1.一種制造全背接觸(ABC)太陽能電池的方法,包括:
在晶片的后側上形成第一極性的摻雜層;
在所述第一極性的摻雜層上形成第一掩模結構;
使用第一激光燒蝕工藝去除所述第一掩模結構的各個部分;
在已將所述第一掩模結構去除的區域內形成第二極性的摻雜區;以及
通過絲網印刷和焙燒形成接觸條,以使每個接觸條與所述摻雜區中的一個接觸。
2.如權利要求1所述的方法,其特征在于,還包括對第一激光燒蝕工藝施加第一對準工藝;并對所述接觸條的絲網印刷施加第二對應的對準工藝。
3.如權利要求1或2所述的方法,其特征在于,形成所述第二極性的摻雜區包括:
施加腐蝕性蝕刻以在通過所述第一激光燒蝕工藝在所述第一掩模結構中形成的開口內露出更深的橫臥區;以及
摻雜所述晶片的露出部分。
4.如權利要求1、2或3中任何一項所述的方法,其特征在于,還包括在所述晶片的整個后表面上形成電介質鈍化結構。
5.如權利要求4所述的方法,其特征在于,通過絲網印刷形成接觸條包括將燒結的金屬膏絲網印刷在所述電介質鈍化結構上并對燒結的膏進行焙燒以形成所述接觸條的至少相應籽晶層。
6.如權利要求5所述的方法,其特征在于,所述燒結的金屬膏被絲網印刷,以使所述接觸條在焙燒工藝后與所述硅晶片接觸。
7.如權利要求5所述的方法,其特征在于,還包括使用絲網印刷或噴墨印刷從所述籽晶層構造所述接觸條。
8.如權利要求4所述的方法,其特征在于,通過絲網印刷形成接觸條包括:在電介質鈍化結構中形成開口并絲網印刷非燒結金屬膏以形成所述接觸條。
9.如權利要求8所述的方法,其特征在于,所述電介質鈍化層中的開口通過第二激光燒蝕工藝來形成。
10.如權利要求1-9中任何一項所述的方法,其特征在于,形成所述第一極性的摻雜層包括使用來自固態或氣態源的擴散摻雜,或離子注入。
11.如權利要求1-10中任何一項所述的方法,其特征在于,形成所述第二極性的摻雜區包括使用來自固態或氣態源的擴散摻雜,或離子注入。
12.如前面任何一項權利要求所述的方法,其特征在于,還包括對所述晶片的前表面進行紋理化。
13.如前面任何一項權利要求所述的方法,其特征在于,還包括在所述晶片的前表面上形成電介質結構。
14.如權利要求13所述的方法,其特征在于,所述電介質結構具有鈍化和抗反射性質。
15.一種使用如權利要求1所述的方法形成的全背接觸(ABC)太陽能電池。
16.如權利要求15所述的太陽能電池,其特征在于,還包括在所述晶片的整個后表面上的電介質鈍化結構。
17.如權利要求15或16所述的太陽能電池,其特征在于,還包括所述晶片的紋理化前表面。
18.如權利要求15-17中任何一項所述的太陽能電池,其特征在于,還包括在所述晶片前表面上的電介質疊層。
19.如權利要求18所述的太陽能電池,其特征在于,所述電介質疊層具有鈍化和抗反射性質。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





