[發明專利]用于形成半導體電極的導電組合物

有效

• 申請號: 201180073479.6
• 申請日: 2011-10-27
• 公開（公告）號: CN103975392B
• 公開（公告）日: 2017-09-08
• 發明（設計）人: 凱文·沃倫·艾利森;德納·林恩·漢基;克里斯多佛·詹姆士·戴維;楊樂
• 申請（專利權）人: 上海匡宇電子技術有限公司
• 主分類號: H01B1/20
• 分類號: H01B1/20
• 代理公司: 上海光華專利事務所31219
• 代理人: 余明偉,郭婧婧

1.一種組合物的制造方法，所述的組合物用于在半導體基體表面形成電極，包括下述的加工過程：加入包括熔劑顆粒、導電材料顆粒和有機介質的原料(100)；用加壓流體分散法混合所述的原料，所述的混合制造了導電組合物(102)；以及取出所述的導電組合物(104)；其中所述的導電材料顆粒和熔劑顆粒都包括原始形態和化學性能，且在所述的組合物中所述的原始形態和化學性能都被保留。

2.權利要求1所述的方法，其中，所述的熔劑顆粒包括玻璃粉，所述的導電材料顆粒包括銀顆粒，且所述的有機介質包括一種或多種有機溶劑和一種或多種聚合物組分。

3.權利要求2所述的方法，其中，在所述的導電組合物中的玻璃粉的含量基于所述的組合物的質量在2.0-8.0質量百分比的范圍內，在所述的組合物中的銀顆粒的含量基于所述的組合物的質量在40-90質量百分比的范圍內，在所述的組合物中的有機溶劑的總含量基于所述的組合物的質量在7.2-50.0質量百分比的范圍內，且在所述的組合物中的聚合物組分的總含量基于所述的組合物的質量在0.9-6.0質量百分比的范圍內。

4.權利要求1所述的方法，其中所述的加壓流體分散法包括控制水力空化。

5.權利要求4所述的方法，其中所述的導電組合物中的熔劑顆粒的尺寸在0.1-10.0微米的范圍內。

6.權利要求4所述的方法，其中所述的導電組合物中的導電材料顆粒的尺寸在0.1-10.0微米的范圍內。

7.權利要求4所述的方法，其中所述的控制水力空化引起了該熔劑顆粒和導電材料顆粒遍及導電組合物的基本均勻分布。

8.權利要求1所述的方法，其中所述的原料進一步包括添加劑，所述的添加劑包括一種或多種黏度調節劑，或一種觸變劑。

9.一種導電組合物(208)，包括原料，所述的原料包括熔劑顆粒(200)、導電材料顆粒(202)和有機介質(204)，用加壓流體分散法混合所述的原料(206)，這樣在所述的組合物中的導電材料顆粒的尺寸在0.1-10.0微米的范圍內；其中所述的導電材料顆粒和熔劑顆粒都包括原始形態和化學性能，且在所述的組合物中所述的原始形態和化學性能都被保留。

10.權利要求9所述的導電組合物，進一步包括，用加壓流體分散法混合所述的原料，這樣在所述的組合物中的熔劑顆粒的尺寸在0.1-10.0微米的范圍內。

11.權利要求9所述的導電組合物，其中，所述的熔劑顆粒包括玻璃粉，所述的導電材料顆粒包括銀顆粒，且所述的有機介質包括一種或多種有機溶劑和一種或多種聚合物組分。

12.權利要求11所述的導電組合物，其中，在所述的組合物中的玻璃粉的含量基于所述的組合物的質量在2.0-8.0質量百分比的范圍內，在所述的組合物中的銀顆粒的含量基于所述的組合物的質量在40-90質量百分比的范圍內，在所述的組合物中的有機溶劑的總含量基于所述的組合物的質量在7.2-50.0質量百分比的范圍內，且在所述的組合物中的聚合物組分的總含量基于所述的組合物的質量在0.9-6.0質量百分比的范圍內。

13.權利要求9所述的導電組合物，其中所述的加壓流體分散法包括控制水力空化，所述的空化引起了熔劑顆粒和導電材料顆粒遍及組合物的基本均勻分布。

14.權利要求9所述的導電組合物，其中所述的原料進一步包括添加劑，所述的添加劑包括一種或多種黏度調節劑，或一種觸變劑。

15.一種導電組合物(208)，包括，熔劑顆粒(200)；導電材料顆粒(202)；和有機介質(204)，其中，在所述導電組合物中，所述導電材料顆粒和熔劑顆粒保留原始形貌，在所述的組合物中的導電材料顆粒的尺寸在0.1-10.0微米的范圍內。

16.權利要求15所述的導電組合物，其中在所述的組合物中的熔劑顆粒的尺寸在0.1-10.0微米的范圍內。

17.權利要求15所述的導電組合物，其中所述的導電材料顆粒和熔劑顆粒遍及所述的組合物被均勻地分散。

18.權利要求15所述的導電組合物，其中所述的熔劑顆粒包括玻璃粉，所述的導電材料顆粒包括銀顆粒，且所述的有機介質包括一種或多種有機溶劑和一種或多種聚合物組分。

19.權利要求15所述的導電組合物，進一步包括添加劑，所述的添加劑包括一種或多種黏度調節劑，或一種觸變劑。