[發明專利]集成電路封裝有效
| 申請號: | 201180073114.3 | 申請日: | 2011-08-31 |
| 公開(公告)號: | CN103765578A | 公開(公告)日: | 2014-04-30 |
| 發明(設計)人: | 拉爾夫·洛依特;薩韋里奧·特羅塔 | 申請(專利權)人: | 飛思卡爾半導體公司 |
| 主分類號: | H01L23/48 | 分類號: | H01L23/48;H01L21/60;H01L23/12 |
| 代理公司: | 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219 | 代理人: | 李佳;穆德駿 |
| 地址: | 美國得*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 集成電路 封裝 | ||
1.一種集成電路封裝(10),包括:襯底(6)、一個或多個半導體管芯(26)、和連接單元(8),所述連接單元(8)在所述襯底和所述一個或多個半導體管芯(26)之間提供電連接;所述連接單元(8)包括:一個或多個導電層的堆疊、以及以交替方式堆疊在彼此頂上的一個或多個隔離層的堆疊;所述堆疊至少包括:
第一導電層(18),所述第一導電層(18)包括微帶導電線(42、44、46),以及
第二導電層(22),所述第二導電層(22)包括接地平面(58),
所述微帶導電線(42、44、46)和所述接地平面(58)形成微帶線(42、44、46、58)。
2.根據權利要求1所述的封裝(10),所述第二導電層(22)還包括一個或多個共面導電線(50、52),所述共面導電線(50、52)和所述接地平面(58)形成共面波導(50、52、58)。
3.根據權利要求3所述的封裝(10),所述共面導電線(50、52)至少部分被所述接地平面(58)圍繞。
4.根據權利要求2或3所述的封裝(10),所述堆疊包括無源單元,所述無源單元包括所述微帶線(42、44、46、58)和所述共面波導(50、52、58)中的至少一個。
5.根據權利要求4所述的封裝(10),所述無源單元是平衡-不平衡變換器、功率分配器或定向耦合器。
6.根據權利要求2至5中任何一項所述的封裝(10),所述共面波導(50、52、58)被布置成攜帶平衡信號(V1、V2)。
7.根據權利要求6所述的封裝(10),所述共面波導(50、52、58)和所述微帶線(42、44、46、48)彼此連接,并且被布置成形成平衡-不平衡變換器(60),所述平衡-不平衡變換器(60)用于將所述平衡信號(V1、V2)轉換成不平衡信號(V3),并且反之亦然。
8.根據權利要求7所述的封裝(10),所述共面導電線(50、52)包括第一共面導電線(50)和第二共面導電線(52),所述第一共面導電線(50)和第二共面導電線(52)在所述共面波導(50、52、58)的一端處通過所述微帶導電線(42、44、46)的第一節段(42)以及在所述共面波導(50、52、58)的另一端處通過所述微帶導電線(42、44、46)的第二節段(44、46)彼此連接。
9.根據權利要求8所述的封裝(10),所述第一節段(42)和所述第二節段(44、46)分別具有L/2和L的電長度,L是將要經由所述平衡-不平衡變換器(60)傳輸的信號的波長。
10.根據權利要求9所述的封裝(10),所述第二節段(44、46)包括:在節點(48)處彼此接觸的具L/4電長度的第三節段(44)和3/4*L電長度的第四節段(46)。
11.根據任何一項前述權利要求所述的封裝(10),所述第二導電層(22)被布置在所述第一導電層(18)和所述一個或多個半導體管芯(26)之間。
12.根據任何一項前述權利要求所述的封裝(10),包括一個或多個橫向導體(32、38),所述一個或多個橫向導體(32、38)被布置成互連所述堆疊的分離的導電層。
13.根據任何一項前述權利要求所述的封裝(10),所述一個或多個半導體管芯(26)包括雷達接收器電路或雷達發射器電路。
14.根據任何一項前述權利要求所述的封裝(10),所述襯底(6)包括印刷電路板(12)。
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