[發明專利]濺射設備和用于形成發光器件的透射導電層的方法

無效

• 申請號: 201180072891.6
• 申請日: 2011-08-17
• 公開（公告）號: CN103814430A
• 公開（公告）日: 2014-05-21
• 發明（設計）人: 申永澈;金起范;許元九
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L21/203
• 分類號: H01L21/203;C23C14/35;H01L21/285
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 陳源;張帆

1.一種用于形成發光器件的透射導電層的濺射設備，包括：

腔室；

靶容納單元，其布置在所述腔室的一個內壁上；

襯底容納單元，其與所述靶容納單元相對形成；以及

由兩層或更多層金屬網形成的過濾器，其位于所述靶容納單元和所述襯底容納單元之間。

2.根據權利要求1所述的濺射設備，其中所述由兩層或更多層金屬網形成的過濾器的至少一層被用作接地電極。

3.根據權利要求1所述的濺射設備，其中所述由兩層或更多層金屬網形成的過濾器具有網眼圖案或條紋圖案的穿孔。

4.根據權利要求3所述的濺射設備，其中所述由兩層或更多層金屬網形成的過濾器具有彼此交替布置的開口部分。

5.根據權利要求3所述的濺射設備，其中在所述由兩層或更多層金屬網形成的過濾器中，金屬部分的寬度為10μm至10mm，而穿孔的寬度為10μm至10mm。

6.根據權利要求3所述的濺射設備，其中所述過濾器與所述襯底容納單元中所容納的襯底之間的間隔為10至500mm。

7.一種用于形成發光器件的透射導電層的濺射方法，包括步驟：

制備襯底和靶；以及

通過濺射將所述靶的元素沉積在所述襯底上，

其中在濺射期間，由兩層或更多層金屬網形成的過濾器被提供在所述靶和所述襯底之間，并且所述過濾器的至少一層被用作接地電極。

8.根據權利要求7所述的濺射方法，其中所述濺射步驟包括：第一濺射處理和第二濺射處理，第一濺射處理以0.1至的沉積速率執行濺射，直到透射導電層的厚度達到10至在所述透射導電層的厚度達到10到之后，第二濺射處理以1至的沉積速率執行濺射，達到所述透射導電層的最終厚度。

9.根據權利要求7所述的濺射方法，其中所述由兩層或更多層金屬網形成的過濾器具有網眼圖案或條紋圖案的穿孔。

10.根據權利要求9所述的濺射方法，其中所述由兩層或更多層金屬網形成的過濾器具有彼此交替布置的開口部分。