[發明專利]太陽能電池單元的制造方法以及太陽能電池單元制造系統

有效

• 申請號: 201180072355.6
• 申請日: 2011-08-02
• 公開（公告）號: CN103688370A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發明（設計）人: 唐木田昇市
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/0236;H01L31/068
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 張麗

1.一種太陽能電池單元的制造方法，其特征在于，包括：

第1工序，在第1導電類型的半導體基板的兩面形成紋理構造；

第2工序，測定形成了所述紋理構造的所述半導體基板的兩面中的反射率分布；

第3工序，在所述半導體基板的兩面中的所述反射率分布小的一面側形成擴散了第2導電類型的雜質元素的雜質擴散層；

第4工序，在所述雜質擴散層上形成與所述雜質擴散層電連接的規定的圖案的受光面側電極；以及

第5工序，在所述半導體基板的兩面中的所述反射率分布大的另一面側形成背面側電極。

2.根據權利要求1所述的太陽能電池單元的制造方法，其特征在于，

在所述第4工序中，確定所述半導體基板的一面側中的所述紋理構造的形成狀態所引起的第1外觀不良區域，從所述受光面側電極的能夠配置的多個配置方向判定所述第1外觀不良區域和所述受光面側電極的圖案重疊的面積寬的配置方向，形成所述受光面側電極。

3.根據權利要求2所述的太陽能電池單元的制造方法，其特征在于，

所述第1外觀不良區域是在所述半導體基板的一面側未形成所述紋理構造的區域或者所述紋理的形成密度比其他區域低的區域。

4.根據權利要求2或者3所述的太陽能電池單元的制造方法，其特征在于，

根據所述半導體基板的一面側的面內的色調或者顏色的差異來確定所述第1外觀不良區域。

5.根據權利要求2或者3所述的太陽能電池單元的制造方法，其特征在于，

根據所述半導體基板的一面側的面內的反射率分布來確定所述第1外觀不良區域。

6.根據權利要求1所述的太陽能電池單元的制造方法，其特征在于，

在所述第3工序與所述第4工序之間在所述雜質擴散層上形成防反射膜，

在所述第4工序中，確定所述半導體基板的一面側中的所述紋理構造的形成狀態以及所述防反射膜的形成狀態的至少一方所引起的第2外觀不良區域，從所述受光面側電極的能夠配置的多個配置方向判定所述第2外觀不良區域和所述受光面側電極的圖案重疊的面積寬的配置方向，形成所述受光面側電極。

7.根據權利要求6所述的太陽能電池單元的制造方法，其特征在于，

所述第2外觀不良區域是作為在所述半導體基板的一面側未形成所述紋理構造的區域或者所述紋理的形成密度比其他區域低的區域的紋理構造形成不良區域、或者是作為在所述半導體基板的一面側未形成所述防反射膜的區域或者與其他區域相比所述防反射膜的膜厚不同的區域的防反射膜形成不良區域、或者是所述紋理構造形成不良區域和所述防反射膜形成不良區域重疊了的區域。

8.根據權利要求6或者7所述的太陽能電池單元的制造方法，其特征在于，

根據所述半導體基板的一面側的面內的色調或者顏色的差異來確定所述第2外觀不良區域。

9.根據權利要求6或者7所述的太陽能電池單元的制造方法，其特征在于，

根據所述半導體基板的一面側的面內的反射率分布來確定所述第2外觀不良區域。

10.一種太陽能電池單元制造系統，其特征在于，具備：

反射率分布測定部，測定在兩面形成有紋理構造的第1導電類型的半導體基板的兩面中的反射率分布；

雜質擴散層形成部，在所述半導體基板的兩面中的所述反射率分布小的一面側形成擴散了第2導電類型的雜質元素的雜質擴散層；以及

電極形成部，在所述雜質擴散層上形成與所述雜質擴散層電連接的規定的圖案的受光面側電極，在所述半導體基板的兩面中的所述反射率分布大的另一面側形成背面側電極。

11.根據權利要求10所述的太陽能電池單元制造系統，其特征在于，

還具備在所述雜質擴散層上形成防反射膜的防反射膜形成部。

12.根據權利要求10或者11所述的太陽能電池單元制造系統，其特征在于，

所述電極形成部具有：

外觀不良確定部，確定形成所述雜質擴散層、或者進一步形成所述防反射膜、并且未形成所述受光面側電極的所述半導體基板的一面側中的外觀不良區域；以及

配置方向判定部，從所述受光面側電極的能夠配置的多個配置方向判定所述外觀不良區域和所述受光面側電極的圖案重疊的面積寬的配置方向。