[發明專利]多孔膜上的可再使用的官能性電沉積涂層

有效

• 申請號: 201180071640.6
• 申請日: 2011-06-13
• 公開（公告）號: CN103619446B
• 公開（公告）日: 2018-01-19
• 發明（設計）人: S·A·米勒
• 申請（專利權）人: 英派爾科技開發有限公司
• 主分類號: B01D61/00
• 分類號: B01D61/00;C02F1/00;C25D5/00;B01D71/00;C08J5/22
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司11127
• 代理人: 丁香蘭,龐東成

1.一種制備可逆官能化導電膜的方法，所述方法包括：

在導電膜表面上電化學沉積金屬層，以提供金屬化導電膜，其中所述導電膜包含聚合物和導電性碳納米管；和

將所述金屬化導電膜與第一溶液接觸以提供官能化導電膜，所述第一溶液包含至少一種電化學活性化合物或至少一種表面改性用化合物，和

通過使所述官能化導電膜經受適于從所述官能化導電膜上除去所述金屬層從而提供清潔的膜表面的條件而使所述官能化導電膜再循環，其中所述膜表面能進行再官能化。

2.如權利要求1所述的方法，其中所述金屬層包括Au、Ag、Cu、Ni、Zn或Pt層。

3.如權利要求1或2所述的方法，其中所述金屬層通過將所述導電膜與第二溶液接觸而沉積，其中所述第二溶液包含金屬鹽。

4.如權利要求3所述的方法，其中所述金屬鹽包括Au、Ag、Cu、Ni、Zn或Pt鹽。

5.如權利要求1所述的方法，其中所述聚合物包括聚碳酸酯、聚酰亞胺或纖維素。

6.如權利要求1或5所述的方法，其中所述導電性碳納米管包括單壁碳納米管或多壁碳納米管。

7.如權利要求6所述的方法，其中所述導電碳納米管包括經酸處理的碳納米管。

8.如權利要求1或5所述的方法，其中所述導電膜通過使所述導電性碳納米管的溶液透過聚合物膜過濾而制備。

9.如權利要求8所述的方法，其中所述聚合物膜包括納米多孔膜。

10.如權利要求9所述的方法，其中所述聚合物膜包括徑跡刻蝕膜。

11.如權利要求1或5所述的方法，其中如下制備所述導電膜：制備包含聚合物和所述導電性碳納米管的第三溶液；并澆鑄所述第三溶液，以提供所述導電膜。

12.如權利要求1或2所述的方法，其中所述第一溶液包含至少一種電化學活性化合物。

13.如權利要求12所述的方法，其中所述電化學活性化合物包括芳基重氮鹽，其中所述芳基直接或通過連接基團而取代有至少一個官能團。

14.如權利要求13所述的方法，其中各電化學活性化合物獨立地具有式

其中R包含所述官能團，并且A^-為電化學可接受的陰離子。

15.如權利要求14所述的方法，其中各電化學活性化合物獨立地具有式

16.如權利要求1或2所述的方法，其中所述各電化學活性化合物包含電聚合性單體。

17.如權利要求16所述的方法，其中各單體獨立地為(甲基)丙烯酸酯或苯乙烯。

18.如權利要求1或2所述的方法，其中所述電沉積為電還原。

19.如權利要求1所述的方法，其中所述第一溶液包含至少一種表面改性用化合物。

20.如權利要求19所述的方法，其中所述表面改性用化合物包含至少一個官能團和至少一個能夠與所述金屬層表面反應或配位的化學基團。

21.如權利要求20所述的方法，其中所述至少一個能夠與所述金屬層表面反應或配位的化學基團包括硫醇基、羧基或磷酸酯基。

22.如權利要求20所述的方法，其中所述表面改性化合物具有式X-Y-Z，其中X為能夠與所述金屬層表面反應或配位的化學基團；Y為連接基團，且Z為氫或官能團。