[發明專利]激光處理的導電襯底及其預先處理方法有效
| 申請號: | 201180071433.0 | 申請日: | 2011-06-08 |
| 公開(公告)號: | CN103563198B | 公開(公告)日: | 2017-05-24 |
| 發明(設計)人: | N.贊特;E.古斯塔夫森;R.維圖伊斯;R.加斯帕里尼;F.格雷尤特 | 申請(專利權)人: | ABB研究有限公司 |
| 主分類號: | H02G5/06 | 分類號: | H02G5/06;B23K26/00 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司72001 | 代理人: | 柯廣華,湯春龍 |
| 地址: | 瑞士*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 激光 處理 導電 襯底 及其 預先 方法 | ||
1.一種制造導體組件(26)的方法,所述導體組件包含導電襯底(12)和非金屬材料(14),所述方法包括:
- 預先處理所述導電襯底(12),其方式是通過將所述襯底(12)放置在激光源(16)的激光范圍中;以及通過用來自所述激光源(16)的激光(24)照射所述襯底(12)的表面(18),由此在所述襯底表面(18)上形成微結構(20),其中所述微結構(20)具有如下項中的至少一項:
a)至少0.2μm-1的I/Ra比率,I是表面指數,Ra是平均粗糙度;
b)至少0.03μm-1的I/Rz比率,I是表面指數,Rz是平均峰到谷距離;以及
- 將所述非金屬材料(14)接合到所述導電襯底(12)的所述表面(18),其中所述接合包含將所述非金屬材料(14)模壓、噴涂、擠壓、澆鑄在所述導電襯底(12)上中的一項,其中:
所述導電襯底(12)是適合于承載高壓電力系統(700)中標稱電流的核心導體。
2.如權利要求1所述的方法,其中所述微結構(20)具有小于10μm的平均粗糙度Ra。
3.如權利要求1至2中任一項所述的方法,其中所述導電襯底(12)是適合于承載高壓電力系統(700)中標稱電流的核心導體,所述標稱電流是在0.1kA與250kA之間的電流。
4.如權利要求1至2中任一項所述的方法,其中所述激光源(16)是具有至少20瓦平均功率輸出的連續激光源或具有至少20瓦平均功率輸出的脈沖激光源。
5.如權利要求4所述的方法,其中所述激光源(16)是具有40kHz到50kHz脈沖頻率的脈沖激光源。
6.如權利要求1至2中任一項所述的方法,其中所述非金屬材料(14)是電絕緣的,并且包含聚合復合物或熱塑材料中的至少一種。
7.如權利要求1至2中任一項所述的方法,其中所述導電襯底(12)是插入物(12,603),并且其中所述非金屬材料(14)被接合到所述襯底的表面,使得所述襯底至少部分陷入在所述非金屬材料(14)中。
8.一種絕緣體-導體組件(26,600)包括:
- 導電襯底(12),包括:襯底表面(18),其配置用于在其上接合非金屬材料(14),其中所述襯底表面(18)包含通過用激光(24)照射可獲得的激光引發的微結構(20),其中所述微結構(20)具有如下項中的至少一項:
a)至少0.2μm-1的I/Ra比率,I是表面指數,Ra是平均粗糙度;
b)至少0.03μm-1的I/Rz比率,I是表面指數,Rz是平均峰到谷距離;以及
- 接合在所述襯底表面(18)上的電絕緣材料的絕緣體本體(14, 602),其中:
通過模壓、噴涂、擠壓、澆鑄所述非金屬材料(14)中的一項將所述非金屬材料(14)接合到所述導電襯底(12)的所述表面(18),并且其中:
所述導電襯底(12)是適合于承載高壓電力系統(700)中標稱電流的核心導體。
9.如權利要求8所述的絕緣體-導體組件,其中所述微結構具有小于10μm的平均粗糙度Ra。
10.如權利要求8至9中任一項所述的絕緣體-導體組件,所述標稱電流是在0.1kA與250kA之間的電流。
11.如權利要求8至9中任一項所述的絕緣體-導體組件,包括:金屬插入物(12,603),其供發電機電路斷路器或氣體絕緣的開關裝置站(700)的固體絕緣部件(704,706,712,714)使用,所述金屬插入物包含所述導電襯底。
12.如權利要求8至9中任一項所述的絕緣體-導體組件(26,600),其中所述絕緣體本體(14,602)包含聚合復合物或熱塑材料中的至少一種。
13.如權利要求8至9中任一項所述的絕緣體-導體組件(26,600),其中所述導電襯底(12,603)是插入物,并且其中所述絕緣體本體(14,602)被接合到所述襯底的表面,使得所述襯底至少部分陷入在所述絕緣體本體(14)中。
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