[發明專利]帶屏蔽的電力耦合設備

有效

• 申請號: 201180071384.0
• 申請日: 2011-06-01
• 公開（公告）號: CN103748642B
• 公開（公告）日: 2017-08-25
• 發明（設計）人: J·多布斯
• 申請（專利權）人: ANALOGIC公司
• 主分類號: H01F27/36
• 分類號: H01F27/36;H01F38/18
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司31100
• 代理人: 陳小剛

1.一種被配置成在計算機層析成像設備(100)的靜子(404)和所述計算機層析成像設備(100)的轉子(402)之間傳輸電力的帶屏蔽的電力耦合設備(200)，所述帶屏蔽的電力耦合設備(200)包括：

被配置成將電力轉換成感應耦合場的感應場生成元件(414)；

被配置成將所述感應耦合場轉換成電力的感應場接收元件(408)；

由核芯氣隙(406)分隔開的初級(416)和次級(410)核芯，以及

外殼(412)，所述外殼(412)包括：

布置在所述外殼的內表面上的邊緣場減輕元件(520)，所述邊緣場減輕元件包括導電材料并且被配置成減輕所述感應場生成元件(414)和所述感應場接收元件(408)中的至少一個所生成的、從靠近所述核芯氣隙(406)的初級核芯(416)和次級核芯(410)中的至少一個逃逸的磁通量，以及

非邊緣場減輕元件。

2.如權利要求1所述的設備，其特征在于，所述非邊緣場減輕元件包括電介質材料。

3.如權利要求1所述的設備，其特征在于，所述非邊緣場減輕元件包括不連續的導電材料。

4.如權利要求3所述的設備，其特征在于，所述邊緣場減輕元件(520)的導電材料基本上是連續的且是圓對稱的。

5.如權利要求1所述的設備，其特征在于，被配置成傳輸電力的所述帶屏蔽的電力耦合設備(200)以大于或等于20kHz的頻率來操作。

6.如權利要求1所述的設備，其特征在于，所述外殼(412)由多個節段組成，各個節段耦合在一起以形成基本上圓形的結構。

7.如權利要求6所述的設備，其特征在于，所述邊緣場減輕元件(520)包括一旦各個節段被耦合在一起就被插入到所述外殼(412)中的導線。

8.如權利要求7所述的設備，其特征在于，各個節段由電介質材料構成。

9.如權利要求1所述的設備，其特征在于，所述邊緣場減輕元件(520)與所述核芯氣隙相鄰。

10.一種構造被配置成在靜子和轉子之間傳輸電力的帶屏蔽的電力耦合設備的方法(900)，包括：

構造(904)所述電力耦合設備的外殼，所述外殼包括電介質材料、各電介質材料節段、以及各導電材料節段中的至少一個，以及

將被配置成減輕磁通量的邊緣場減輕元件插入(906)所述外殼的一部分中，其中所述外殼的所述部分包括所述外殼的內表面。

11.如權利要求10所述的方法，其特征在于，包括在構造所述外殼之后將所述邊緣場減輕元件插入所述外殼的一部分中。

12.如權利要求10所述的方法，其特征在于，包括相對于核芯來安排所述外殼，所述核芯由鐵氧體材料構成并包括以下中的至少一個：

安排在所述核芯內的感應場生成元件，以及

安排在所述核芯內的感應場接收元件，所述感應場生成元件和感應場接收元件中的至少一個生成磁通量中的至少一些。

13.如權利要求12所述的方法，其特征在于，所述邊緣場減輕元件被配置成將從所述核芯逃逸的磁通量減輕。

14.如權利要求10所述的方法，其特征在于，所述邊緣場減輕元件被配置成承載感應電流，所述感應電流的幅值基本上類似于所述感應場生成元件和所述感應場接收元件中通過的電流。

15.如權利要求14所述的方法，其特征在于，所述感應電流的符號與所述感應場生成元件和所述感應場接收元件中通過的凈電流的符號相反。

16.如權利要求10所述的方法，其特征在于，所述邊緣場減輕元件包括導電的基本上圓形且連續的材料。

17.如權利要求16所述的方法，其特征在于，所述邊緣場減輕元件包括電線。

18.如權利要求10所述的方法，其特征在于，包括將所述帶屏蔽的電力耦合設備耦合到計算機層析成像設備，所述帶屏蔽的電力耦合設備被配置成將電力從所述計算機層析成像設備的靜子部分提供給轉子部分。

19.一種用于計算機層析成像裝置(100)中的帶屏蔽的電力耦合設備(200)，包括：

被配置成將電力轉換成感應耦合場的感應場生成元件(414)；

被配置成將所述感應耦合場轉換成電力的感應場接收元件(408)；

由核芯氣隙(406)分隔開的初級(416)和次級(410)核芯；以及

外殼(412)，所述外殼包括固定在一起以形成基本上螺線管形結構的至少兩個節段，所述外殼(412)包括布置在所述外殼的內表面上的邊緣場減輕元件(520)，所述邊緣場減輕元件(520)被配置成減輕由所述感應場生成元件(414)和所述感應場接收元件(408)中的至少一個生成的、靠近所述核芯氣隙(406)從所述初級核芯(416)和所述次級核芯(410)中的至少一個逃逸的磁通量。