[發明專利]雙平面存儲器陣列

有效

• 申請號: 201180070415.0
• 申請日: 2011-03-29
• 公開（公告）號: CN103493201A
• 公開（公告）日: 2014-01-01
• 發明（設計）人: 弗雷德里克·佩納
• 申請（專利權）人: 惠普發展公司;有限責任合伙企業
• 主分類號: H01L27/115
• 分類號: H01L27/115;H01L21/8247
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 于會玲;康泉

1.一種存儲器陣列，包括：

多個導體結構，每個導體結構具有在第一方向上延伸的頂導線段、在與所述第一方向成角度的第二方向上延伸的中間導線段、在與所述第一方向相反的方向上延伸的底導線段、以及連接所述頂導線段、所述中間導線段和所述底導線段的通孔；

在上平面中形成在每個導體結構的所述中間導線段與鄰近的導體結構的所述頂導線段的交叉點處的多個存儲單元；以及

在下平面中形成在每個導體結構的所述中間導線段與鄰近的導體結構的所述底導線段的交叉處的多個存儲單元。

2.如權利要求1所述的存儲器陣列，其中所述導體結構被布置在所述存儲器陣列中，以便相鄰導體結構的所述通孔被設置在對角線上。

3.如權利要求2所述的存儲器陣列，其中所述導體結構的所述頂導線段、所述中間導線段和所述底導線段被標出尺寸，以便每個頂導線段或底導線段將與所選擇數量的中間導線段相交叉，并且每個中間導線段將與所述所選擇數量的頂導線段和所述所選擇數量的底導線段相交叉。

4.如權利要求1所述的存儲器陣列，其中所述存儲單元是憶阻器件。

5.如權利要求4所述的存儲器陣列，其中每個存儲單元具有包括由金屬氧化物形成的開關材料的有源區域。

6.一種存儲器陣列，包括：

在頂層中在第一方向上延伸的多個頂導線段；

在中間層中在與所述第一方向成角度的第二方向上延伸的多個中間導線段；

在底層中在與所述第一方向相反的方向上延伸的多個底導線段；

在上平面中形成在所述頂導線段與所述中間導線段的交叉處的多個存儲單元；

在下平面中形成在所述中間導線段與所述底導線段的交叉處的多個存儲單元；以及

多個通孔，每個通孔連接頂導線段、中間導線段和底導線段。

7.如權利要求6所述的存儲器陣列，其中所述通孔被布置在對角線上。

8.如權利要求7所述的存儲器陣列，其中所述頂導線段、所述中間導線段和所述底導線段被標出尺寸，以便每個頂導線段或底導線段將與所選擇數量的中間導線段相交叉，并且每個中間導線段將與所述所選擇數量的頂導線段和所述所選擇數量的底導線段相交叉。

9.如權利要求6所述的存儲器陣列，其中所述存儲單元是憶阻器件。

10.如權利要求9所述的存儲器陣列，其中每個存儲單元具有包括由金屬氧化物形成的開關材料的有源區域。

11.一種存儲器陣列，包括：

多個導體結構，每個導體結構具有通過通孔連接在一起的頂導線段、中間導線段和底導線段，其中頂導線段和底導線段在相反的方向上延伸，并且所述中間導線段在與所述頂導線段和所述底導線段垂直的方向上延伸；

設置在上平面和下平面中的多個存儲單元，上平面中的每個存儲單元形成在導體結構的頂導線段與另一導體結構的中間導線段的交叉處，并且下平面中的每個存儲單元形成在導體結構的底導線段與另一導體結構的中間導線段的交叉處；以及

設置在所述導體結構下面的平面中的解碼器，用來解碼兩個導體結構的所述通孔的地址以訪問形成在所述兩個導體結構的交叉處的存儲單元。

12.如權利要求11所述的存儲器陣列，其中所述導體結構的所述頂導線段、所述中間導線段和所述底導線段被標出尺寸，以便每個頂導線段或底導線段將與所選擇數量的中間導線段相交叉，并且每個中間導線段將與所述所選擇數量的頂導線段和所述所選擇數量的底導線段相交叉。

13.如權利要求12所述的存儲器陣列，其中所述導體結構的所述通孔沿對角線被形成。

14.如權利要求13所述的存儲器陣列，其中所述存儲單元是憶阻器件。

15.如權利要求14所述的存儲器陣列，其中每個存儲單元具有包括由金屬氧化物形成的開關材料的有源區域。