[發(fā)明專利]半導(dǎo)體發(fā)光元件及發(fā)光裝置

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201180064244.0
• 申請(qǐng)日: 2011-07-05
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103314488A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-09-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 萩野裕幸;左文字克哉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01S5/22
• 分類號(hào): H01S5/22;H01S5/042
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 樊建中

1.一種半導(dǎo)體發(fā)光元件，具備：

氮化物半導(dǎo)體層，其包含：在基板上依次形成的第1包覆層、發(fā)光層以及條狀的脊部；

絕緣膜，其形成于所述第2包覆層上使得所述第2包覆層中的除了所述脊部之外的區(qū)域的一部分露出；

第1電極，其形成于所述脊部上；

第2電極，其形成為與所述第1電極以及絕緣膜乃至所述第2包覆層的從所述絕緣膜露出的部分相接，

所述絕緣膜遍及所述脊部的側(cè)面之上以及與所述脊部相鄰的區(qū)域之上而形成。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其中，

所述絕緣膜中的在與所述脊部相鄰的區(qū)域上形成的部分的寬度，為1μm以上并且10μm以下。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其中，

所述絕緣膜中的在與所述脊部相鄰的區(qū)域上形成的部分的寬度，為1μm以上并且2μm以下。

4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其中，

所述第2包覆層在與所述第2電極相接的界面附近的氮密度，比所述第2包覆層內(nèi)部的氮密度小。

5.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其中，

所述第2電極由比所述第1電極功函數(shù)小的材料構(gòu)成。

6.根據(jù)權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其中，

所述第2包覆層具有在未被所述絕緣膜覆蓋的部分形成的凹凸構(gòu)造。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其中，

所述凹凸構(gòu)造是與所述脊部并行地延伸的條狀。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其中，

所述凹凸構(gòu)造是柵格狀。

9.根據(jù)權(quán)利要求1～8中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其中，

所述第2包覆層具有多個(gè)所述脊部。

10.根據(jù)權(quán)利要求1～9中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其中，

所述第2包覆層由組成或材質(zhì)不同的多個(gè)層形成。

11.一種半導(dǎo)體發(fā)光元件，具備：

氮化物半導(dǎo)體層，其包括在基板上依次形成的第1包覆層、發(fā)光層以及第2包覆層；

條狀的脊部，其形成于所述第2包覆層上，由對(duì)發(fā)光波長(zhǎng)透明的材料的第1電極構(gòu)成；

絕緣膜，其形成于所述第2包覆層上使得所述第2包覆層的一部分露出；和

第2電極，其形成為與所述脊部、絕緣膜以及第2包覆層的從所述絕緣膜露出的部分相接，

所述絕緣膜遍及所述脊部的側(cè)面之上以及與所述脊部相鄰的區(qū)域之上而形成。

12.一種半導(dǎo)體發(fā)光裝置，具備：

散熱片；和

搭載于所述散熱片的、權(quán)利要求1～11中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，

將所述基板設(shè)置在所述散熱片側(cè)來(lái)搭載所述半導(dǎo)體發(fā)光元件。

13.一種半導(dǎo)體發(fā)光裝置，具備：

散熱片；和

搭載于所述散熱片的、權(quán)利要求1～11中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，

將所述第2包覆層設(shè)置在所述散熱片側(cè)來(lái)搭載所述半導(dǎo)體發(fā)光元件。