[發明專利]SiC單晶體的制造裝置、在制造裝置中使用的夾具以及SiC單晶體的制造方法有效
| 申請號： | 201180062911.1 | 申請日： | 2011-12-26 |
| 公開（公告）號： | CN103282558A | 公開（公告）日： | 2013-09-04 |
| 發明（設計）人： | 龜井一人;楠一彥;矢代將齊;岡田信宏;加渡干尚;坂元秀光;大黑寬典 | 申請（專利權）人： | 新日鐵住金株式會社;豐田自動車株式會社 |
| 主分類號： | C30B29/36 | 分類號： | C30B29/36;C30B19/06 |
| 代理公司： | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 劉新宇;張會華 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | sic 單晶體 制造 裝置 使用 夾具 以及 方法 | ||
1.一種SiC單晶體的制造裝置，其中，
該制造裝置包括：
腔室，其能夠保存用于收納SiC溶液的熔爐；
晶種軸，其沿上述制造裝置的上下方向延伸，并能夠在下端面安裝SiC晶種；以及
蓋構件，其是下端敞開并能夠收納在上述坩堝內的殼體，且在內部配置上述晶種軸的下端部。
2.根據權利要求1所述的制造裝置，其中，
上述蓋構件包括：
裙部，其包圍上述晶種軸的下端部的周圍并在該裙部與上述晶種軸的下端部之間設有間隙；以及
上蓋部，其供上述晶種軸貫穿，并與上述裙部的上端相連。
3.根據權利要求1或2所述的制造裝置，其中，
上述蓋構件具有通氣孔。
4.根據權利要求1～3中任一項所述的制造裝置，其中，
上述蓋構件被固定于上述晶種軸。
5.根據權利要求1～3中任一項所述的制造裝置，其中，
該制造裝置還具有固定構件，該固定構件在預定的位置將上述蓋構件固定在上述腔室內，
上述晶種軸能夠相對于上述蓋構件繞上述軸旋轉。
6.根據權利要求5所述的制造裝置，其中，
上述固定構件能夠沿上述制造裝置的上下方向上升、下降。
7.根據權利要求1～6中任一項所述的制造裝置，其中，
上述蓋構件的下端浸漬在上述坩堝內的上述SiC溶液中。
8.一種夾具，其在基于溶液生長法的SiC單晶體的制造裝置中使用，
該夾具包括：
棒狀的晶種軸，其具有供SiC晶種安裝的下端面；以及
蓋構件，其是下端敞開的殼體，且在內部配置上述晶種軸的下端部。
9.根據權利要求8所述的夾具，其中，
上述蓋構件包括：
裙部，其包圍上述晶種軸的下端部的周圍并在該裙部與上述晶種軸的下端部之間設有間隙；以及
上蓋部，其供上述晶種軸貫穿，并與上述裙部的上端相連。
10.根據權利要求8或9所述的夾具，其中，
上述蓋構件具有通氣孔。
11.根據權利要求8～10中任一項所述的夾具，其中，
上述蓋構件固定于上述晶種軸。
12.根據權利要求8～10中任一項所述的夾具，其中，
上述晶種軸能夠相對于上述蓋構件繞自身的軸旋轉。
13.一種SiC單晶體的制造方法，其利用溶液生長法來制造SiC單晶體，其中，
該制造方法包括：
準備夾具的工序，該夾具包括：晶種軸，其沿上下方向延伸，并具有下端面；以及蓋構件，其是下端敞開的殼體，且在內部配置上述晶種軸的下端部；
在上述晶種軸的下端面安裝SiC晶種的工序；
對收納有含硅的原料的坩堝進行加熱，從而生成SiC溶液的工序；
將安裝于上述夾具的SiC晶種浸漬在上述坩堝內的SiC溶液中的工序；以及
在上述SiC晶種上培育SiC單晶體的工序。
14.根據權利要求13所述的SiC單晶體的制造方法，其中，
在培育上述SiC單晶體的工序中，進一步將上述蓋構件的下端浸漬在上述坩堝內的SiC溶液中。
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