[發(fā)明專利]近場電磁波吸收體有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201180062703.1 | 申請日： | 2011-11-01 |
| 公開（公告）號： | CN103270821A | 公開（公告）日： | 2013-08-28 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 加川清二 | 申請（專利權(quán)）人： | 加川清二 |
| 主分類號： | H05K9/00 | 分類號： | H05K9/00;H01Q17/00 |
| 代理公司： | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人： | 雒運(yùn)樸 |
| 地址： | 日本國*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 近場 電磁波 吸收體 | ||
1.一種近場電磁波吸收體，其通過將在塑料薄膜的一方的面上形成金屬薄膜而成的多層電磁波吸收薄膜粘合而成，其特征在于，
至少一層電磁波吸收薄膜的金屬薄膜具有磁性金屬的薄膜層，并且在至少一層電磁波吸收薄膜的金屬薄膜上，以不規(guī)則的寬度及間隔在多個方向上形成有實(shí)際上平行的多條斷續(xù)的線狀痕。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的近場電磁波吸收體，其特征在于，
鄰接的電磁波吸收薄膜以金屬薄膜彼此對置的方式粘合。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的近場電磁波吸收體，其特征在于，
對置的金屬薄膜借助粘合層而電磁結(jié)合。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的近場電磁波吸收體，其特征在于，
在全部的電磁波吸收薄膜的金屬薄膜上，所述線狀痕在多個方向上形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的近場電磁波吸收體，其特征在于，
各電磁波吸收薄膜的金屬薄膜在線狀痕形成后具有50～1500Ω/單位面積的范圍內(nèi)的表面電阻。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的近場電磁波吸收體，其特征在于，
所述磁性金屬為鎳。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的近場電磁波吸收體，其特征在于，
至少一層電磁波吸收薄膜的金屬薄膜由導(dǎo)電性金屬薄膜層與磁性金屬薄膜層構(gòu)成。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的近場電磁波吸收體，其特征在于，
全部的金屬薄膜由導(dǎo)電性金屬薄膜層與磁性金屬薄膜層構(gòu)成。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的近場電磁波吸收體，其特征在于，
所述線狀痕在兩個方向上取向，其交叉角為30～90°。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的近場電磁波吸收體，其特征在于，
所述線狀痕的寬度的90％以上處于0.1～100μm的范圍內(nèi)，平均為1～50μm，所述線狀痕的間隔處于0.1～200μm的范圍內(nèi)，平均為1～100μm。
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