[發明專利]用于質譜儀的大氣壓電離入口

在審

• 申請號: 201180062214.6
• 申請日: 2011-08-18
• 公開（公告）號: CN103415907A
• 公開（公告）日: 2013-11-27
• 發明（設計）人: S.普羅瑟;J.赫尼昂;S.湯姆森;V.帕爾
• 申請（專利權）人: 艾德維昂股份有限公司;科學分析器械有限公司
• 主分類號: H01J49/04
• 分類號: H01J49/04;H01J49/06
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 姚冠揚

1.一種用于提供離子給質譜儀系統的大氣壓離子源，其包括：

毛細管，其具有第一開口、第二開口，以及從所述第一開口延伸至所述第二開口的通道，所述第一開口在約大氣壓下處于第一壓力區域，所述第二開口在約3Torr或更低的部分真空下處于第二壓力區域，所述毛細管被定位，以使得在所述質譜系統的操作期間，離子經由所述第一開口進入所述通道并且經由所述第二開口退出所述通道；

真空室，其限定所述第二壓力區域且具有配置成接收來自所述毛細管的第二開口的離子的入口，所述真空室包括提取孔，其定位成使得在所述質譜系統的操作期間，離子經由氣流中湍流區域位置處的提取孔進入在約10^-2Torr或更低的第三壓力區域。

2.根據權利要求1所述的大氣壓離子源，其中，所述湍流區域包括在所述氣流中表現出馬赫盤的區域。

3.根據權利要求1所述的大氣壓離子源，其中，所述提取孔位于至少部分地基于計算2/3(P0/P1)^1/2所確定的位置，其中P0和P1分別是所述第一和第二壓力區域的壓力。

4.根據權利要求1所述的大氣壓離子源，其中，所述提取孔處于所述真空室中氣流中的靜區隨后的位置。

5.根據權利要求1所述的大氣壓離子源，其中，所述提取孔處于所述真空室中氣流中的靜區及至少一個層流區域隨后的位置。

6.根據權利要求1所述的大氣壓離子源，其中，所述真空室是這樣配置的，也就是在所述質譜系統的操作期間，層流與湍流的交替區域產生于所述氣流中。

7.根據權利要求1所述的大氣壓離子源，其中，所述部件是這樣配置的，也就是在所述質譜系統的操作期間，層流與湍流的交替區域產生于所述氣流中，并且所述提取孔處于與湍流的第一區域相關聯的位置。

8.根據權利要求1所述的大氣壓離子源，其中，所述毛細管具有的直徑小于約1mm，長度大于5cm。

9.根據權利要求1所述的大氣壓離子源，其還包括連接至所述孔的電壓源，其被配置成產生垂直于所述第二壓力區域中氣流的大致正交的提取場。

10.根據權利要求1所述的大氣壓離子源，其中，所述毛細管具有的直徑為從約300μm至約1000μm，所述真空室具有的直徑為從約5mm至約20mm。

11.根據權利要求5所述的大氣壓離子源，其中，所述毛細管具有的直徑為從約50μm至約300μm，所述真空室具有的直徑為從約2mm至約10mm。

12.根據權利要求5所述的大氣壓離子源，其中，所述毛細管具有的直徑為從約700μm至約2000μm，所述真空室具有的直徑為從約15mm至約50mm。

13.根據權利要求1所述的大氣壓離子源，其還包括定位于所述第三真空區域中的四極質量分析儀。

14.根據權利要求1所述的大氣壓離子源，其中，所述毛細管配置成在毛細管的第二開口附近形成層流區域。

15.根據權利要求1所述的大氣壓離子源，其還包括泵，所述泵配置成在所述第二壓力區域形成部分真空，在所述第三壓力區域形成真空。

16.根據權利要求1所述的大氣壓離子源，其中，所述毛細管的第一開口定向在與所述提取孔的方向成90度的方向上。

17.根據權利要求1所述的大氣壓離子源，其中，所述毛細管的第一開口定向在與所述提取孔的方向相同的方向上，但是偏置于所述提取孔。

18.根據權利要求1所述的大氣壓離子源，其還包括電噴霧離子源，其配置成在所述毛細管的第一開口附近產生電噴霧。

19.根據權利要求1所述的大氣壓離子源，其中，所述毛細管是被加熱的毛細管。

20.根據權利要求1所述的大氣壓離子源，其還包括與所述部件中提取孔相反的推動器板。