[發明專利]含鋰導電糊料組合物和由其制成的制品

無效

• 申請號: 201180059576.X
• 申請日: 2011-12-12
• 公開（公告）號: CN103262174A
• 公開（公告）日: 2013-08-21
• 發明（設計）人: S·D·伊特爾;Z·R·李;K·R·米克斯卡;P·D·韋爾努伊
• 申請（專利權）人: E.I.內穆爾杜邦公司
• 主分類號: H01B1/22
• 分類號: H01B1/22
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 朱黎明

1.糊料組合物，包含無機固體部分，所述無機固體部分包含：

(a)以固體計約75重量%至約99重量%的導電金屬源；

(b)以固體計約0.1重量%至約10重量%的基本上無鉛的玻璃組分，所述玻璃組分包含：

1-25重量%的SiO₂；

0.1-3重量%的Al₂O₃；

50-85重量%的氧化鉍和氟化鉍中的至少一種，所述氧化鉍的量為至少10重量%，并且所述氟化鉍的量為最多50重量%；和

至少1重量%的TiO₂、ZrO₂、Li₂O、ZnO、P₂O₅、LiF、NaF、KF、K₂O、V₂O₅、GeO₂、TeO₂、CeO₂、Gd₂O₃中的至少一種、或它們的混合物；

其中所述重量百分比是以所述總玻璃組分計的；以及

(c)以固體計約0.1重量%至約5重量%的含鋰添加劑；

其中所述無機固體部分分散在有機介質中，并且所述糊料組合物是基本上無鉛的。

2.根據權利要求1所述的糊料組合物，其中所述含鋰添加劑為氧化鋰、氫氧化鋰、無機酸或有機酸的鋰鹽中的至少一種、或它們的混合物。

3.根據權利要求2所述的糊料組合物，其中所述含鋰添加劑為LiF。

4.根據權利要求2所述的糊料組合物，其中所述含鋰添加劑為Li₂CO₃。

5.根據權利要求1所述的糊料組合物，其中所述基本上無鉛的玻璃組分包含以所述總玻璃組分計8-25重量%。

6.根據權利要求1所述的糊料組合物，其中所述導電金屬為金、銀、銅、鎳、鈀中的至少一種、或它們的合金或混合物。

7.根據權利要求6所述的糊料組合物，其中所述導電金屬為銀。

8.根據權利要求1所述的糊料組合物，其中所述導電金屬源為細分的銀顆粒。

9.制品，包括：

(a)具有第一主表面的半導體基底；和

(b)基本上無鉛的糊料組合物在所述半導體基底的第一主表面的預選部分上的沉積物，

其中所述糊料組合物包含分散在有機介質中的無機固體部分，所述無機固體部分包含：

(i)以固體計約75重量%至約99重量%的導電金屬源；

(ii)以固體計約0.1重量%至約10重量%的基本上無鉛的玻璃組分；和

(iii)約0.1重量%至約5重量%的含鋰添加劑。

10.根據權利要求9所述的制品，其中絕緣層存在于所述半導體基底的第一主表面上，并且將所述糊料組合物沉積在所述絕緣層上。

11.根據權利要求10所述的制品，其中已將所述糊料組合物焙燒以除去所述有機介質并形成電極，所述電極具有與所述半導體基底的電接觸。

12.根據權利要求10所述的制品，其中所述半導體基底為硅片。

13.方法，包括：

(a)提供具有第一主表面的半導體基底；

(b)將基本上無鉛的糊料組合物施用到所述第一主表面的預選部分上，

其中所述糊料組合物包含分散在有機介質中的無機固體部分，并且所述無機固體部分包含：

(i)以固體計約75重量%至約99重量%的導電金屬源；

(ii)以固體計約0.1重量%至約10重量%的基本上無鉛的玻璃組分；和

(iii)以固體計約0.1重量%至約5重量%的含鋰添加劑；以及

(c)焙燒所述基底和所述糊料組合物，從而除去所述糊料組合物的有機介質并形成電極，所述電極具有與所述半導體基底的電接觸。

14.根據權利要求13所述的方法，其中將絕緣層設置在所述第一主表面上，并且將所述糊料組合物施用在所述絕緣層上。