[發明專利]用于制造輻射轉換元件的方法、輻射轉換元件和包含輻射轉換元件的光電子器件

無效

• 申請號: 201180059331.7
• 申請日: 2011-12-07
• 公開（公告）號: CN103261369A
• 公開（公告）日: 2013-08-21
• 發明（設計）人: 米卡埃爾·阿爾斯泰特;拉克爾·德拉培尼亞阿隆索
• 申請（專利權）人: 歐司朗光電半導體有限公司
• 主分類號: C09K11/77
• 分類號: C09K11/77
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 張春水;田軍鋒

1.用于制造輻射轉換元件（60）的方法，所述方法具有下述方法步驟：

A）提供襯底（61）以及包括發光的摻雜物前軀體的穩定的溶液，

B）將所述溶液施加到所述襯底（61）上，

C）水解和凝結所述溶液以用于形成凝膠，

D）對所述凝膠進行熱處理以用于在所述襯底（61）上形成轉換層（62）。

2.根據上一項權利要求所述的方法，其中方法步驟A）中的穩定的所述溶液此外添加有溶劑和金屬前軀體。

3.根據上一項權利要求所述的方法，其中用于在方法步驟A）中提供的所述溶液的金屬前軀體從金屬醇鹽、金屬醋酸鹽、金屬氯化物和金屬硝酸鹽中選擇。

4.根據上述權利要求之一所述的方法，其中方法步驟A）中的所述摻雜物前軀體從金屬Eu、Ce、Ir、Er和Cs的金屬醇鹽、金屬醋酸鹽、金屬氯化物和金屬硝酸鹽中選擇。

5.根據上述權利要求之一所述的方法，其中借助于從旋涂、浸涂或噴涂中選擇的方法來執行方法步驟B）中的施加。

6.根據上述權利要求之一所述的方法，其中方法步驟D）包括下述步驟：

D1）干燥所述凝膠，

D2）煅燒所述凝膠以用于形成無定形層，

D3）熱解所述無定形層以用于形成轉換層（62）。

7.根據上述權利要求之一所述的方法，其中重復方法步驟B）至D）至少兩次。

8.輻射轉換元件（60），所述輻射轉換元件按照根據權利要求1至7所述的方法來制造，所述輻射轉換元件包括襯底（61）和所述襯底（61）上的至少一個轉換層（62）。

9.根據上一項權利要求所述的輻射轉換元件（60），所述輻射轉換元件是透明的。

10.根據權利要求8或9所述的輻射轉換元件（60），其中所述襯底（61）是轉換輻射的或相對于輻射是不起作用的。

11.根據上一項權利要求所述的輻射轉換元件（60），其中轉換輻射的所述襯底（61）具有無機材料。

12.根據權利要求8至11之一所述的輻射轉換元件（60），其中所述轉換層（62）具有結晶的或無定形的結構。

13.根據上一項權利要求所述的輻射轉換元件（60），其中在所述結晶的或無定形的結構中以摩爾百分比為0.05%至8%的比例引入從Eu、Ce、Ir、Er和Cs中選擇的金屬。

14.根據權利要求8至13之一所述的輻射轉換元件（60），其中所述轉換層（62）具有從10nm至5μm的范圍中選擇的厚度。

15.光電子器件，包括

-載體（10），

-所述載體（10）上的至少一個發射輻射的半導體芯片（20），以及

-所述半導體芯片（20）上的根據權利要求8至14所述的輻射轉換元件（60）。