[發(fā)明專利]激光退火裝置及激光退火方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201180059322.8 | 申請日: | 2011-11-22 |
| 公開(公告)號: | CN103262213A | 公開(公告)日: | 2013-08-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 水村通伸;齋藤雄二 | 申請(專利權(quán))人: | 株式會社V技術(shù) |
| 主分類號: | H01L21/20 | 分類號: | H01L21/20;B23K26/00;B23K26/04;B23K26/06;H01L21/268;B23K101/40 |
| 代理公司: | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人: | 海坤 |
| 地址: | 日本國*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 激光 退火 裝置 方法 | ||
1.一種激光退火裝置,向形成在基板上的非晶硅膜照射多個激光束而進行退火處理,其特征在于,具備:
掩模,其形成有與所述基板上的被退火區(qū)域的形狀相似的形狀的多個開口;
微型透鏡基板,其經(jīng)由形成在一面上的多個微型透鏡使分別通過了所述掩模的所述多個開口的所述多個激光束會聚到所述基板上,從而向所述非晶硅膜施加一定的光能;
一對引導(dǎo)件,它們呈半圓柱狀的形狀,隔著所述微型透鏡基板以軸心大致平行的方式對置配置在所述微型透鏡基板的兩緣部的位置,且頂部比所述微型透鏡的頂部的位置向所述基板側(cè)突出;
薄膜,其以能夠移動的方式張設(shè)在所述一對引導(dǎo)件間并使所述激光束透過。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光退火裝置,其特征在于,
將所述掩模設(shè)于中間而在一方側(cè)具備送出所述薄膜的送出卷軸且在另一方側(cè)具備卷繞所述薄膜的卷繞卷軸,在所述一對引導(dǎo)件之間,以作用有一定的反張力的狀態(tài),使所述薄膜能夠以恒定速度連續(xù)通過或每隔一定的時間間隔能夠通過一定量。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的激光退火裝置,其特征在于,
還設(shè)有使所述基板沿著與所述一對引導(dǎo)件的軸心交叉的方向以恒定速度移動的搬運機構(gòu)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的激光退火裝置,其特征在于,
所述基板是顯示裝置用的薄膜晶體管基板,以下,將薄膜晶體管稱為“TFT”,所述被退火區(qū)域是TFT形成區(qū)域。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的激光退火裝置,其特征在于,
所述微型透鏡以在該微型透鏡的頂部與所述薄膜之間、或者在所述薄膜與所述基板之間具有焦點的方式形成。
6.一種激光退火方法,經(jīng)由掩模和微型透鏡基板而向形成在基板上的非晶硅膜照射多個激光束來進行退火處理,該掩模形成有一定形狀的多個開口,該微型透鏡基板與該掩模的所述多個開口分別對應(yīng)而設(shè)有多個微型透鏡,所述激光退火方法的特征在于,包括:
在張設(shè)于一對引導(dǎo)件間的狀態(tài)下,使接受所述激光束透過的薄膜沿著與所述一對引導(dǎo)件的軸心交叉的方向移動的步驟,這一對引導(dǎo)件呈半圓柱狀的形狀,隔著所述微型透鏡基板以軸心大致平行的方式對置配置在所述微型透鏡基板的兩緣部的位置,且頂部比所述微型透鏡的頂部的位置向所述基板側(cè)突出;
使所述基板與所述微型透鏡基板對置而沿著所述薄膜的移動方向以恒定速度移動的步驟;
使通過所述多個微型透鏡并透過所述薄膜的多個激光束會聚到所述基板上,從而向所述非晶硅膜施加一定的光能的步驟。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





