[發明專利]配電網絡

有效

• 申請號: 201180058963.1
• 申請日: 2011-10-28
• 公開（公告）號: CN103283018A
• 公開（公告）日: 2013-09-04
• 發明（設計）人: 阿突·V·吉亞;克里斯多夫·P·懷蘭德;凱唐·索達;保羅·T·薩薩奇;唐江;保羅·Y·吳;羅米·梅德
• 申請（專利權）人: 吉林克斯公司
• 主分類號: H01L23/528
• 分類號: H01L23/528;H01L23/522
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;黃燦

1.一種集成電路（IC），包括：

第一組配電線；

第二組配電線；

形成于所述集成電路中的第一電容器；

形成于所述集成電路中的第二電容器；

第一多個通孔，所述第一多個通孔將所述第一電容器和所述第二電容器的第一輸入端耦接到所述第一組配電線；以及

第二多個通孔，所述第二多個通孔將所述第一電容器和所述第二電容器的第二輸入端耦接到所述第二組配電線，

其中與所述第二電容器以及與之耦接的所述第一多個通孔和所述第二多個通孔的等效串聯電阻相比，所述第一電容器以及與之耦接的所述第一多個通孔和所述第二多個通孔所具有的等效串聯電阻要大。

2.根據權利要求1所述的集成電路，其中：

所述第一多個通孔包括：

第一通孔子集，所述第一通孔子集將所述第一組配電線耦接到所述第一電容器的第一末端；以及

第二通孔子集，所述第二通孔子集將所述第一組配電線耦接到所述第二電容器的第一末端；

所述第二多個通孔包括：

第三通孔子集，所述第三通孔子集將所述第一組配電線耦接到所述第一電容器的第二末端；以及

第四通孔子集，所述第四通孔子集將所述第一組配電線耦接到所述第二電容器的第二末端；

其中所述第一通孔子集與所述第三通孔子集具有相等數目的通孔，并且所述第二子集與所述第四通孔子集具有相等數目的通孔。

3.根據權利要求1或2所述的集成電路，其中所述第一和第二電容器是金屬-絕緣體-金屬電容器。

4.根據權利要求2或3所述的集成電路，其中所述第一電容器包括：

第一金屬層，所述第一金屬層耦接到所述第一通孔子集；

第二金屬層，所述第二金屬層耦接到所述第三通孔子集；以及

第一電介質層，所述第一電介質層形成于所述第一金屬層與所述第二金屬層之間，并且與所述第一金屬層和所述第二金屬層鄰近。

5.根據權利要求4所述的集成電路，其中所述第一電容器進一步包括：

第三金屬層，所述第三金屬層耦接到所述第一通孔子集，所述第二金屬層位于所述第一金屬層與所述第三金屬層之間；以及

第二電介質層，所述第二電介質層形成于所述第二金屬層與所述第三金屬層之間，并且與所述第二金屬層和所述第三金屬層鄰近。

6.根據權利要求1到5中任一權利要求所述的集成電路，其中在寬頻率范圍內，所述第一電容器和所述第二電容器以及與之耦接的通孔在第一配電線子集和第二配電線子集之間提供低阻抗路徑。

7.根據權利要求1到6中任一權利要求所述的集成電路，其中所述第一多個通孔中的一個或多個通孔經由熔絲耦接到所述第一配電線子集。

8.根據權利要求7所述的集成電路，其中所述等效串聯電阻可響應于一個或多個所述熔絲的燒斷來進行調整。

9.根據權利要求1到2以及4到8中的任一權利要求所述的集成電路，其中所述第一電容器和所述第二電容器是場效晶體管。

10.一種制作集成電路的方法，包括：

在半導體襯底中形成第一組配電線；

在所述半導體襯底中形成第二組配電線；

在所述半導體襯底中形成第一電容器；

在所述半導體襯底中形成第二電容器；

形成第一多個通孔，所述第一多個通孔將所述第一電容器和所述第二電容器的第一輸入端耦接到所述第一組配電線；以及

形成第二多個通孔，所述第二多個通孔將所述第一電容器和所述第二電容器的第二輸入端耦接到所述第二組配電線，

其中與所述第二電容器以及與之耦接的所述第一多個通孔和所述第二多個通孔的等效串聯電阻相比，所述第一電容器以及與之耦接的所述第一多個通孔和所述第二多個通孔所具有的等效串聯電阻要大。