[發明專利]無芯襯底處理中的電解沉積和通孔填充

在審

• 申請號: 201180056593.8
• 申請日: 2011-09-26
• 公開（公告）號: CN103229294A
• 公開（公告）日: 2013-07-31
• 發明（設計）人: 吳濤;N.R.瓦茨
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L23/12
• 分類號: H01L23/12;H01L23/48
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 曲衛濤;朱海煜

1.?一種方法，包括：

提供包括金屬的核芯；

在所述核芯上形成電介質材料；

在所述電介質材料中形成通孔，所述通孔定位成曝露金屬區域；

執行在所述通孔中以及在所述金屬區域上電解電鍍金屬的步驟，其中所述核芯在在所述通孔中電解電鍍金屬期間電耦合到電源，并將電流傳輸至所述金屬區域；以及

在在所述通孔中電解電鍍金屬之后去除所述金屬核芯。

2.?如權利要求1所述的方法，還包括：在所述核芯上形成電介質材料之前，

在所述金屬核芯上形成圖案化的光刻膠層；

執行在所述圖案化的光刻膠層的開口中電解電鍍至少一個金屬層的步驟，其中所述核芯在在所述開口中電解電鍍所述至少一個金屬層期間電耦合到電源，并將電流傳輸至所述開口中的所述至少一個金屬層；以及

去除所述圖案化的光刻膠層，

其中在所述核芯上形成電介質材料包括在所述核芯以及所述至少一個金屬層上定位所述電介質材料。

3.?如權利要求1所述的方法，還包括：

執行在所述電介質層上和所述通孔中的金屬上無電解鍍金屬層的步驟；

在所述無電解鍍金屬層上形成圖案化的抗蝕劑層以便定義導電跡線區域；以及

執行在所述導電跡線區域上電解電鍍金屬的步驟，以便形成導電跡線。

4.?如權利要求3所述的方法，還包括：

在所述導電跡線和所述電介質層上形成額外的電介質層；

在所述額外的電介質層中形成額外通孔，所述額外通孔定位成從所述導電跡線接觸底層金屬；以及

執行在所述額外通孔中的所述底層金屬上電解電鍍金屬的步驟，其中所述核芯在在所述底層金屬上電解電鍍所述金屬期間電耦合到電源，并將電流傳輸至所述底層金屬。

5.?如權利要求4所述的方法，還包括：

執行在所述額外電介質層上以及在所述額外通孔中的底層金屬上的電解電鍍金屬上額外地無電解鍍額外金屬層的步驟；

在所述額外的無電解鍍金屬層上形成圖案化的抗蝕劑層以便定義額外的導電跡線區域；以及

執行在所述額外導電跡線區域上電解電鍍金屬的步驟，以便形成額外的導電跡線。

6.?如權利要求5所述的方法，還包括在所述額外導電跡線和所述額外電介質層上形成圖案化的焊料抗蝕劑層，在所述圖案化的焊料抗蝕劑層中包含開口。

7.?如權利要求6所述的方法，其中所述圖案化的焊料抗蝕劑層中的所述開口曝露所述額外導電跡線的部分，并且執行在所述額外導電跡線的曝露部分上電解電鍍金屬的步驟以便形成表面處理層，其中所述核芯在在所述額外導電跡線的曝露部分上電解電鍍金屬期間電耦合到電源并向所述曝露部分傳輸電流。

8.?如權利要求7所述的方法，其中在在所述開口中電解電鍍金屬之后去除所述核芯以便形成所述表面處理層。

9.?一種方法，包括：

提供包括金屬的核芯；

在所述核芯上形成電介質材料；

在所述電介質材料中形成通孔，所述通孔定位成曝露金屬區域；

執行在所述通孔中的所述金屬區域上電解電鍍金屬的步驟；

其中所述核芯在在所述通孔中的所述金屬區域上電解電鍍金屬期間耦合到電源并傳輸電流；

其中在在所述通孔中的所述金屬區域上電解電鍍金屬期間，所述核芯用作電鍍母線；

在在所述通孔中電解沉積所述金屬之后，在所述電介質材料和填充后的通孔上形成導電跡線；

在所述導電跡線上形成焊料抗蝕劑層并在所述焊料抗蝕劑層中提供開口，所述開口曝露額外的金屬區域；

通過在所述焊料抗蝕劑層中的開口中的額外金屬區域上電解電鍍金屬來形成金屬表面處理層，其中所述核芯在在所述開口中的所述額外金屬區域上電解電鍍金屬期間耦合到電源并向所述額外金屬區域傳輸電流；以及

在所述額外金屬區域上電解電鍍金屬之后去除所述核芯。

10.?如權利要求9所述的方法，還包括：在形成所述表面處理層之前，在所述焊料抗蝕劑層中的開口中的至少一個開口上形成保護層，其中所述保護層由在電解電鍍過程期間不會被金屬電鍍的材料形成。

11.?如權利要求9所述的方法，還包括：在形成所述表面處理層之后，去除所述保護層。