[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體裝置以及半導(dǎo)體裝置的制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201180056529.X | 申請(qǐng)日: | 2011-05-09 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103250242A | 公開(kāi)(公告)日: | 2013-08-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 平松星紀(jì);寺井護(hù) | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 三菱電機(jī)株式會(huì)社 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L23/29 | 分類(lèi)號(hào): | H01L23/29;H01L23/31;H01L25/07;H01L25/18 |
| 代理公司: | 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所 11038 | 代理人: | 李今子 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 裝置 以及 制造 方法 | ||
1.一種半導(dǎo)體裝置,其特征在于,具備:
半導(dǎo)體元件基板,在絕緣基板的一面形成了電極圖案,以及在所述絕緣基板的另一面形成了背面電極;
樹(shù)脂制的應(yīng)力緩和粘接層,在所述絕緣基板的表面,覆蓋未形成所述電極圖案或者所述背面電極的部分的至少一部分;
半導(dǎo)體元件,經(jīng)由接合材料固定到所述電極圖案的、與所述絕緣基板相反一側(cè)的面;以及
第一密封樹(shù)脂,覆蓋該半導(dǎo)體元件以及所述半導(dǎo)體元件基板,
所述應(yīng)力緩和粘接層的樹(shù)脂的彈性率比所述第一密封樹(shù)脂的彈性率小。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于,
在半導(dǎo)體元件基板的所述半導(dǎo)體元件被固定的一側(cè)且所述半導(dǎo)體元件基板的周邊部分,具備以包圍所述半導(dǎo)體元件基板的周?chē)姆绞皆O(shè)置的比半導(dǎo)體元件的高度高的樹(shù)脂制的劃區(qū)壁,并且第一密封樹(shù)脂充滿(mǎn)所述劃區(qū)壁的內(nèi)側(cè),所述劃區(qū)壁的樹(shù)脂的彈性率比所述第一密封樹(shù)脂的彈性率小。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于,
應(yīng)力緩和粘接層的樹(shù)脂和劃區(qū)壁的樹(shù)脂由相同的材料形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或者3所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于,
具備第二密封樹(shù)脂,該第二密封樹(shù)脂覆蓋第一密封樹(shù)脂以及劃區(qū)壁,具有比第一密封樹(shù)脂的彈性率小的彈性率。
5.根據(jù)權(quán)利要求1~4中的任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于,
應(yīng)力緩和粘接層的樹(shù)脂或者劃區(qū)壁的樹(shù)脂的彈性率是30kPa至1GPa的范圍,第一密封樹(shù)脂的彈性率是1GPa至20GPa的范圍。
6.一種半導(dǎo)體裝置,其特征在于,具備:
半導(dǎo)體元件基板,在絕緣基板的一面形成了電極圖案,以及在所述絕緣基板的另一面形成了背面電極;
半導(dǎo)體元件,經(jīng)由接合材料固定到所述電極圖案的、與所述絕緣基板相反一側(cè)的面;
樹(shù)脂制的劃區(qū)壁,在所述半導(dǎo)體元件基板的所述半導(dǎo)體元件被固定的一側(cè)且所述半導(dǎo)體元件基板的周邊部分,以包圍所述半導(dǎo)體元件基板的周?chē)姆绞皆O(shè)置,并且比半導(dǎo)體元件的高度高;以及
第一密封樹(shù)脂,在所述劃區(qū)壁的內(nèi)側(cè)以覆蓋所述半導(dǎo)體元件以及所述半導(dǎo)體元件基板的方式設(shè)置,
所述劃區(qū)壁的樹(shù)脂的彈性率比所述第一密封樹(shù)脂的彈性率小。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于,
具備第二密封樹(shù)脂,該第二密封樹(shù)脂覆蓋第一密封樹(shù)脂以及劃區(qū)壁,具有比第一密封樹(shù)脂的彈性率小的彈性率。
8.根據(jù)權(quán)利要求1~7中的任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于,
半導(dǎo)體元件由寬帶隙半導(dǎo)體形成。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于,
寬帶隙半導(dǎo)體是碳化硅、氮化鎵系材料或者金剛石的半導(dǎo)體。
10.一種權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法,其特征在于,通過(guò)如下工序形成劃區(qū)壁以及應(yīng)力緩和粘接層:
利用具有樹(shù)脂注入孔的上夾具和下夾具夾持半導(dǎo)體元件基板的工序;
在用所述上夾具和所述下夾具夾持了所述半導(dǎo)體元件基板的狀態(tài)下設(shè)置為減壓環(huán)境的工序;
在該減壓環(huán)境下從所述樹(shù)脂注入孔注入未硬化的樹(shù)脂的工序;以及
在注入了樹(shù)脂之后在大氣壓環(huán)境下取出,在使所注入的樹(shù)脂硬化之后,拆下所述上夾具和所述下夾具而進(jìn)行脫模的工序。
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