[發明專利]可自成像成膜聚合物、其組合物以及由其制得的器件和結構

有效

• 申請號: 201180056522.8
• 申請日: 2011-11-23
• 公開（公告）號: CN103370347A
• 公開（公告）日: 2013-10-23
• 發明（設計）人: 大治;陽雄池田;L·F·羅德斯;P·坎達納拉徹馳
• 申請（專利權）人: 普羅米魯斯有限責任公司;住友電木株式會社
• 主分類號: C08F222/06
• 分類號: C08F222/06;C08F220/52;C08F210/14;G03F7/038
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 楊立芳

1.成膜的聚合物組合物，包含：

聚合物，所述聚合物包含衍生自由式II表示的單體的馬來酸酐型重復單元：

其中Z是O或NR⁵，其中R⁵是氫或R^*-OH，其中R^*是烷基、芳基或烷芳基連接基，和所述聚合物包含衍生自選自以下結構通式的單體的第一降冰片烯型重復單元：

其中n是1-5的整數；W是H或烷基、醚或酮；

澆鑄溶劑；和

與一種或多種交聯性添加劑結合的光活性化合物或光酸產生劑。

2.權利要求1的聚合物組合物，還包含衍生自選自以下結構通式的單體的第二降冰片烯型重復單元：

3.權利要求1或2的聚合物組合物，其中式II的單體是馬來酸酐

且所述第一降冰片烯型重復單元衍生自：

4.權利要求3的聚合物組合物，其中所述第一降冰片烯型重復單元衍生自：

5.權利要求3的聚合物組合物，其中式II的單體是馬來酸酐且所述第一降冰片烯型重復單元衍生自：

6.權利要求3的聚合物組合物，其中所述第二降冰片烯型重復單元衍生自：

7.權利要求1或2的聚合物組合物，其中所述至少一種光活性化合物選自：

其中D=H或以下之一：

8.權利要求1或2的聚合物組合物，其中所述光酸產生劑選自

或

和

其中所述一種或多種交聯性添加劑選自四(甲氧基甲基)甘脲、3-甲基丙烯酰氧基甲基-3-乙基氧雜環丁烷、(4,4’-雙[3-乙基-3-氧雜環丁烷基)甲氧基甲基]聯苯)、雙(3-乙基-3-氧雜環丁烷基)甲基]間苯二甲酸酯)、六甲氧基甲基蜜胺，

9.權利要求1的聚合物組合物，所述第一降冰片烯型重復單元還衍生自選自以下附加結構通式的單體：

其中m和n各自獨立地是0-5的整數；W是H或烷基、醚或酮；每個R¹⁰獨立地選自H、鹵素、單價烴、烷氧基、芳氧基和吸電子基團；和每個n和n''獨立地是0-4的整數。

10.權利要求2的聚合物組合物，其中所述第二降冰片烯型重復單元還衍生自選自以下附加結構通式的單體：

11.形成微電子或光電子結構的方法，包括：

用權利要求7或8的聚合物組合物涂覆微電子或光電子基材以形成膜；

將所述膜成像式曝光；

用堿性顯影劑水溶液處理所述經曝光膜以形成成像膜；和

使所述成像膜固化以形成微電子或光電子結構。

形成在1MHz下具有4或更低的介電常數的可自成像膜的成膜組合物，包含權利要求7或8的聚合物組合物。