[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 201180054787.4
• 申請日: 2011-08-19
• 公開（公告）號: CN103210489A
• 公開（公告）日: 2013-07-17
• 發明（設計）人: 高宮喜和;大西一永;小平悅宏
• 申請（專利權）人: 富士電機株式會社
• 主分類號: H01L25/07
• 分類號: H01L25/07;H01L23/48;H01L25/18
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 張鑫

1.一種半導體裝置，包括：

絕緣襯底；

控制端子，其附連至所述絕緣襯底從而電連接至安裝至所述絕緣襯底的半導體芯片；

外殼，所述控制端子貫穿該外殼；

第一止動部，其防止所述控制端子在面向所述絕緣襯底的方向上的移動；和

第二止動部，其防止所述控制端子在與所述絕緣襯底分開的方向上的移動。

2.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

所述控制端子包括：

貫穿所述外殼的蓋的貫穿部；和

L-形部件，與所述貫穿部基本垂直地連接至所述貫穿部以與所述貫穿部一起形成L形狀，且所述L-形部件與所述外殼的所述蓋的后表面接觸，

其中所述控制端子包括突出部，所述突出部被安裝在所述貫穿部內，且所述突出部與所述外殼的所述蓋的前表面接觸，

其中所述第一止動部是所述突出部，且

其中所述第二止動部是所述L-形部件。

3.如權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于，

其中所述突出部與所述突出接收部相接觸，所述突出接收部由所述外殼的所述蓋的所述前表面構成，且

其中所述L-形部件與形成在所述外殼的所述蓋的后表面中的凸起部相接觸。

4.如權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于，

其中所述控制端子還包括連接部，所述連接部的一端連接至所述L-形部件的底面部分且所述連接部的另一端附連至所述絕緣襯底，

其中所述L-形部件的側表面基本垂直于所述貫穿部的側表面，

其中所述連接部的側表面基本垂直于所述L-形部件的所述側表面且基本平行于所述貫穿部的所述側表面，且

其中所述突出部用所述貫穿部的所述側表面形成。

5.如權利要求4所述的半導體裝置，其特征在于，所述貫穿部、所述L-形部件、和所述控制端子的所述連接部是從一片金屬板上切割下來的連續部件。

6.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

其中所述控制端子包括貫穿所述外殼的蓋的貫穿部，

其中所述控制端子包括第一突出部，所述第一突出部被安裝到所述貫穿部，且所述第一突出部與所述外殼的所述蓋的前表面接觸，

其中所述控制端子包括第二突出部，所述第二突出部被安裝在所述貫穿部內且與所述第一突出部分離，且所述第二突出部與所述外殼的所述蓋的后表面接觸，

其中所述第一止動部是所述第一突出部，且

其中所述第二止動部是所述第二突出部。

7.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

其中所述控制端子包括貫穿所述外殼的蓋的貫穿部，

其中所述控制端子包括被安裝在所述貫穿部內的槽部，所述槽部插入所述外殼的所述蓋并與所述外殼的所述蓋的前表面和后表面相接觸，

其中所述第一止動部是所述槽部的與所述外殼的所述蓋的前表面接觸的側壁，和

其中所述第二止動部是所述槽部的與所述外殼的所述蓋的后表面接觸的側壁。

8.如權利要求6或7所述的半導體裝置，其特征在于，所述控制端子還包括：

L-形部件，與所述貫穿部基本垂直地連接至所述貫穿部以與所述貫穿部一起形成L形；和

連接部，所述連接部的一端連接至所述L-形部件的底面部分且所述連接部的另一端附連至所述絕緣襯底。

9.一種半導體裝置，包括：

絕緣襯底；

覆蓋所述絕緣襯底的外殼；

附連至所述絕緣襯底并貫穿所述外殼的控制端子；

第一止動部，其被安裝在所述控制端子的暴露在所述外殼的外側的部分，所述第一止動部從所述外殼的所述外側與所述外殼接觸；和

第二止動部，其被安裝在所述控制端子的位于所述外殼的內側的部分，所述第二止動部從所述外殼的所述內側與所述外殼接觸。

10.一種半導體裝置，包括：

金屬部件；

絕緣襯底，其附連至所述金屬部件的前表面；

附連至所述絕緣襯底的電路圖案的半導體芯片和主端子；

外殼，其附連至所述金屬部件從而覆蓋所述金屬部件的前表面側；

安裝在所述外殼內的貫穿孔；

控制端子，其包括附連至所述電路圖案的連接部、由所述貫穿孔支承的貫穿部、形成在所述貫穿部內的第一止動部、和形成在所述貫穿部內的第二止動部；

第一緊固部，其被配置為包括所述貫穿孔的側壁和所述外殼的前表面，且與所述第一止動部相接觸從而緊固所述第一止動部；和

第二緊固部，其被配置為包括所述貫穿孔的側壁和所述外殼的后表面，且與所述第二止動部相接觸從而緊固所述第二止動部。