[發(fā)明專利]半導體器件的制造方法及半導體器件

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201180054067.8
• 申請日: 2011-11-09
• 公開（公告）號: CN103201842A
• 公開（公告）日: 2013-07-10
• 發(fā)明（設計）人: 舛岡富士雄;中村廣記
• 申請（專利權）人: 新加坡優(yōu)尼山帝斯電子私人有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 隆天國際知識產(chǎn)權代理有限公司 72003
• 代理人: 張然;李昕巍

1.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，具有下述步驟：

于硅基板上形成鰭狀硅層，于前述鰭狀硅層的周圍形成第1絕緣膜，

于前述鰭狀硅層的上部形成柱狀硅層的第1步驟；

前述柱狀硅層的直徑是與前述鰭狀硅層的寬度相同，

前述第1步驟后，

于前述柱狀硅層上部、前述鰭狀硅層上部、及前述柱狀硅層下部植入雜質(zhì)而形成擴散層的第2步驟；

前述第2步驟后，

作成柵極絕緣膜、多晶硅柵極電極、及多晶硅柵極配線的第3步驟；

前述柵極絕緣膜是覆蓋前述柱狀硅層的周圍和上部，前述多晶硅柵極電極是覆蓋柵極絕緣膜，前述多晶硅柵極電極及前述多晶硅柵極配線形成后的多晶硅的上表面是位于較前述柱狀硅層上部的前述擴散層上的前述柵極絕緣膜更高的位置；

前述第3步驟后，

于前述鰭狀硅層上部的前述擴散層上部形成硅化物的第4步驟；

前述第4步驟后，

堆積層間絕緣膜，露出前述多晶硅柵極電極及前述多晶硅柵極配線，蝕刻前述多晶硅柵極電極及前述多晶硅柵極配線后，堆積金屬，以形成金屬柵極電極與金屬柵極配線的第5步驟；

前述金屬柵極配線是延伸于與連接于前述金屬柵極電極的前述鰭狀硅層正交的方向；

前述第5步驟后，

形成接觸部的第6步驟；

前述柱狀硅層上部的前述擴散層與前述接觸部為直接連接。

2.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，

于硅基板上形成用以形成鰭狀硅層的第1阻劑，蝕刻硅基板，形成前述鰭狀硅層，去除前述第1阻劑；

于前述鰭狀硅層的周圍堆積第1絕緣膜，回蝕前述第1絕緣膜，露出前述鰭狀硅層的上部，以與前述鰭狀硅層正交的方式形成第2阻劑，蝕刻前述鰭狀硅層，去除前述第2阻劑，借此，以使前述鰭狀硅層與前述第2阻劑正交的部分成為前述柱狀硅層的方式形成前述柱狀硅層。

3.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，在具有：形成于硅基板上的鰭狀硅層、形成于前述鰭狀硅層周圍的第1絕緣膜、以及形成于前述鰭狀硅層上部的柱狀硅層的構造中，

堆積第2氧化膜，于前述第2氧化膜上形成第1氮化膜，蝕刻前述第1氮化膜且使其殘留成側壁狀，植入雜質(zhì)，于前述柱狀硅層上部與前述鰭狀硅層上部形成擴散層，去除前述第1氮化膜與前述第2氧化膜，進行熱處理。

4.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，在具有：形成于硅基板上的鰭狀硅層、形成于前述鰭狀硅層的周圍的第1絕緣膜、形成于前述鰭狀硅層上部的柱狀硅層；形成于前述鰭狀硅層的上部和前述柱狀硅層的下部的擴散層；以及形成于前述柱狀硅層的上部的擴散層的構造中，

形成柵極絕緣膜，堆積多晶硅，以使平坦化后的前述多晶硅的上表面成為較前述柱狀硅層上部的擴散層上的前述柵極絕緣膜更高的位置的方式將前述多晶硅進行平坦化，堆積第2氮化膜，形成用以形成多晶硅柵極電極及多晶硅柵極配線的第3阻劑，蝕刻前述第2氮化膜，蝕刻前述多晶硅，形成前述多晶硅柵極電極及前述多晶硅柵極配線，蝕刻前述柵極絕緣膜，去除第3阻劑。

5.根據(jù)權利要求4所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，堆積第3氮化膜，蝕刻前述第3氮化膜且使其殘留成側壁狀，堆積金屬，于鰭狀硅層上部的擴散層的上部形成硅化物。

6.根據(jù)權利要求5所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，堆積第4氮化膜，堆積層間絕緣膜并將其平坦化，使多晶硅柵極電極及多晶硅柵極配線露出，去除前述多晶硅柵極電極及前述多晶硅柵極配線，于原為前述多晶硅柵極電極及前述多晶硅柵極配線的部分埋入金屬，蝕刻前述金屬，使柱狀硅層上部的擴散層上的柵極絕緣膜露出，形成金屬柵極電極、金屬柵極配線。

7.一種半導體器件，其特征在于，具有：

形成于硅基板上的鰭狀硅層；

形成于前述鰭狀硅層的周圍的第1絕緣膜；

形成于前述鰭狀硅層上的柱狀硅層；

其中，前述柱狀硅層的直徑是與前述鰭狀硅層的寬度相同；

形成于前述鰭狀硅層上部、及前述柱狀硅層下部的擴散層；

形成于前述柱狀硅層上部的擴散層；

形成于前述鰭狀硅層上部的擴散層的上部的硅化物；

形成于前述柱狀硅層的周圍的柵極絕緣膜；

形成于前述柵極絕緣膜的周圍的金屬柵極電極；

延伸于與連接于前述金屬柵極電極的前述鰭狀硅層正交的方向的金屬柵極配線；以及

于形成在前述柱狀硅層上部的擴散層上所形成的接觸部；

形成于前述柱狀硅層上部的擴散層與前述接觸部直接連接。