[發明專利]使用紅外線的貫通孔圖案檢查方法無效
| 申請號: | 201180053877.1 | 申請日: | 2011-11-09 |
| 公開(公告)號: | CN103201830A | 公開(公告)日: | 2013-07-10 |
| 發明(設計)人: | 藤森義彥 | 申請(專利權)人: | 株式會社尼康 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;H01L21/027 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 任默聞 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 使用 紅外線 貫通 圖案 檢查 方法 | ||
1.一種基板的檢查方法,具有:
照射步驟,對在一方的面形成有從該面延伸至內部的圖案的基板的該一方或另一方的面照射照明光,該照明光具有對該基板滲透至既定深度的滲透性;
檢測步驟,檢測該照明光于該基板反射或透射過的光;以及
檢查步驟,使用以在該檢測步驟檢測出的該圖案為依據的信息進行該基板的檢查。
2.如權利要求1所述的基板的檢查方法,其中,該基板為硅基板;
在該檢查步驟,根據該照明光對該硅基板的滲透特性,從在該檢測步驟檢測出的來自該硅基板的檢測信號,進行至該硅基板的所欲深度位置的該檢查。
3.如權利要求1或2所述的基板的檢查方法,其中,作為該照明光使用約600nm~約1100nm的波長的光。
4.如權利要求1至3中任一項所述的基板的檢查方法,其中,該圖案為由對該基板開孔形成的復數個孔構成的孔圖案;
該孔為用以在該基板形成貫通電極的孔。
5.如權利要求4所述的基板的檢查方法,其具有運算步驟,該運算步驟利用來自該基板的光與該孔的直徑的相關性,從在該檢測步驟檢測出的檢測信號算出該孔的直徑。
6.如權利要求1至5中任一項所述的基板的檢查方法,其中,在該照射步驟,將該照明光照射至該基板,以在該基板的該圖案使衍射光產生;
在該檢測步驟,檢測該照明光照射而在該基板的該圖案產生的該衍射光。
7.如權利要求1至6中任一項所述的基板的檢查方法,其中,在該照射步驟,作為該照明光,從該另一方的面照射具有到達至少該圖案程度的滲透性的照明光。
8.如權利要求1至7中任一項所述的基板的檢查方法,其中,使用該滲透性彼此不同的復數個波長的照明光,就該復數個波長的照明光分別反復該照射步驟、該檢測步驟、及該檢查步驟。
9.一種基板的檢查裝置,具備:
照射部,對在一方的面形成有從該面延伸至內部的圖案的基板的該一方或另一方的面照射紅外線即照明光;
檢測部,檢測來自該照明光照射后的該基板的光,并輸出檢測信號;
調整部,依據該圖案調整該基板與該照射部與該檢測部的中至少一個;以及
檢查部,使用該檢測信號的狀態進行該基板的檢查。
10.如權利要求9所述的基板的檢查裝置,其中,該基板為硅基板;
該檢查部,根據該照明光對該硅基板的滲透特性與來自該硅基板的該檢測信號,進行至該硅基板的所欲深度位置的該檢查。
11.如權利要求9或10所述的基板的檢查裝置,其中,該照射部,作為該照明光將復數個波長的照明光分別照射至該基板;
該檢查部,根據該照明光對該基板的滲透特性,進行該所欲深度位置的該檢查。
12.如權利要求9至11中任一項所述的基板的檢查裝置,其中,作為該照明光使用約600nm~約1100nm的波長的光。
13.如權利要求9至12中任一項所述的基板的檢查裝置,其中,該照射部,從未形成該圖案的該另一方的面側將具有到達至少該圖案程度的滲透性的光照射至該基板。
14.如權利要求9至13中任一項所述的基板的檢查裝置,其中,該圖案為由從該基板表面朝向內部形成的復數個孔構成的孔圖案;
該孔為用以在該基板形成貫通電極的孔。
15.如權利要求14所述的基板的檢查裝置,其進一步具備運算部,該運算部利用來自該基板的光與該孔的直徑的相關性,從該檢測信號算出該孔的直徑。
16.如權利要求9至15中任一項所述的基板的檢查裝置,其中,該照射部,將該照明光照射至該基板,以在該基板的該圖案使衍射光產生;
該檢測部,檢測該照明光照射而在該基板的該圖案產生的該衍射光。
17.一種曝光系統,具備在基板表面使既定圖案曝光的曝光裝置、及進行被該曝光裝置曝光而在表面形成有該圖案的基板的檢查的檢查裝置;
該檢查裝置是權利要求9至16中任一項所述的檢查裝置,將該檢查部進行的該檢查的結果輸出至該曝光裝置;
該曝光裝置,依據從該檢查裝置輸入的該檢查的結果,設定該曝光裝置的曝光條件。
18.一種半導體裝置的制造方法,具有在基板表面使既定圖案曝光的曝光步驟、依據該曝光進行后的該圖案對基板表面進行蝕刻的蝕刻步驟、及進行該曝光或該蝕刻進行而在表面形成有該圖案的基板的檢查的檢查步驟,其特征在于:
該檢查步驟是使用權利要求1至8中任一項所述的檢查方法進行。
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