[發明專利]用于硅太陽能電池的銅膠金屬化有效
| 申請號: | 201180053663.4 | 申請日: | 2011-08-26 |
| 公開(公告)號: | CN103229314A | 公開(公告)日: | 2013-07-31 |
| 發明(設計)人: | J·M·吉 | 申請(專利權)人: | 應用材料公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/042;H01B1/02 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 侯穎媖 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 太陽能電池 金屬化 | ||
1.一種用于在太陽能電池上形成觸點結構的方法,所述方法包括以下步驟:
將銅金屬化膠沉積于基板上,所述基板包括摻雜半導體材料;以及對所述銅金屬化膠加熱,以形成銅層,其中所述銅金屬化膠包括:
有機基質;
玻璃料,所述玻璃料在所述有機基質內;以及
金屬粉末,所述金屬粉末在所述有機基質內,所述金屬粉末包括封膠含銅粒子,其中所述封膠含銅粒子中的至少一些進一步包括:
含銅粒子;以及
至少一個涂層,所述至少一個涂層圍繞所述含銅粒子,其中所述涂層選自由以下組成的群組:
鎳(Ni);
鋅(Zn);
鎳(Ni),及鈦(Ti)、氮化鈦(TiN)、鎢(W)、鈦鎢(TiW)、摻鎢鈷(Co:W)、鈷(Co)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鉭(Ta)、過渡金屬氮化物、過渡金屬硅化物合金、上述材料的合金或上述材料的組合物中的至少一者;
鋅(Zn),及鎳(Ni)、鈦(Ti)、氮化鈦(TiN)、鎢(W)、鈦鎢(TiW)、摻鎢鈷(Co:W)、鈷(Co)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鉭(Ta)、過渡金屬氮化物及過渡金屬硅化物合金、上述材料的合金或上述材料的組合物中的至少一者;以及
銀(Ag),及鎳(Ni)、鈦(Ti)、氮化鈦(TiN)、鎢(W)、鈦鎢(TiW)、摻鎢鈷(Co:W)、鈷(Co)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鉭(Ta)、過渡金屬氮化物、過渡金屬硅化物合金、上述材料的合金或上述材料的組合物中的至少一者。
2.如權利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法進一步包括以下步驟:
將接觸層膠沉積于所述基板的表面上;
將所述銅金屬化膠沉積于所述接觸層膠上;以及
對所述接觸層膠及所述銅金屬化膠加熱,以將銅層形成于接觸層上,其中所述接觸層提供與所述基板的歐姆接觸。
3.如權利要求2所述的方法,其特征在于,所述接觸層膠包括銅金屬化膠,所述銅金屬化膠不同于用以形成所述銅層的銅金屬化膠。
4.一種用于在太陽能電池上形成觸點結構的方法,所述方法包括以下步驟:
將接觸層沉積于基板的表面上,所述基板包括摻雜半導體材料;
將金屬化阻障層沉積于所述接觸層上;
將銅層沉積于所述金屬化阻障層上,所述銅層包括封膠含銅粒子;
將氧化阻障層沉積于所述銅層上;以及
對所述接觸層、金屬化阻障層、銅層及氧化阻障層加熱,以燒結上述各層且形成與所述基板的歐姆接觸,其中使用噴墨沉積工藝來執行上述沉積步驟。
5.一種太陽能電池,所述太陽能電池包括:
基板,所述基板包括摻雜半導體材料;以及
前觸點結構,所述前觸點結構在所述基板的前表面的一部分上,其中所述前觸點結構包括:
銅層,所述銅層包括燒結的封膠含銅粒子,其中所述封膠含銅粒子中的至少一些進一步包括:
含銅粒子;以及
至少一個涂層,所述至少一個涂層圍繞所述含銅粒子,其中所述涂層選自由以下組成的群組:
鎳(Ni);
鋅(Zn);
鎳(Ni),及鈦(Ti)、氮化鈦(TiN)、鎢(W)、鈦鎢(TiW)、摻鎢鈷(Co:W)、鈷(Co)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鉭(Ta)、過渡金屬氮化物、過渡金屬硅化物合金、上述材料的合金或上述材料的組合物中的至少一者;
鋅(Zn),及鎳(Ni)、鈦(Ti)、氮化鈦(TiN)、鎢(W)、鈦鎢(TiW)、摻鎢鈷(Co:W)、鈷(Co)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鉭(Ta)、過渡金屬氮化物及過渡金屬硅化物合金、上述材料的合金或上述材料的組合物中的至少一者;以及
銀(Ag),及鎳(Ni)、鈦(Ti)、氮化鈦(TiN)、鎢(W)、鈦鎢(TiW)、摻鎢鈷(Co:W)、鈷(Co)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鉭(Ta)、過渡金屬氮化物、過渡金屬硅化物合金、上述材料的合金或上述材料的組合物中的至少一者。
6.如權利要求5所述的太陽能電池,其特征在于,所述至少一個涂層進一步包括:
第一阻障層;以及
第二阻障層,其中所述第一阻障層為最外層,且所述第二阻障層位于所述第一阻障層與所述含銅粒子之間。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





